[發(fā)明專利]用于改善近紅外線靈敏度及通道分離的光控制在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010925627.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112510055A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙誠(chéng);陸震偉;楊存宇;陳炳旭;林志強(qiáng);劉成明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 劉媛媛 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 改善 紅外線 靈敏度 通道 分離 控制 | ||
1.一種圖像傳感器,其包括:
多個(gè)光電二極管,其布置在像素陣列的行及列中;
濾光器層,其包括安置在所述多個(gè)光電二極管上方的多個(gè)濾光器(Block、Clear、Pass),所述濾光器層具有面向所述多個(gè)光電二極管的第一側(cè)及背對(duì)所述第一側(cè)的第二側(cè);
彩色濾波器層,其包括安置在所述多個(gè)光電二極管上方的多個(gè)彩色濾波器(B、G、R、IR),所述彩色濾波器層具有面向所述濾光器層的所述第二側(cè)的第一表面及背對(duì)所述濾光器層的所述第一側(cè)的第二表面;及
多個(gè)微透鏡,其靠近所述彩色濾波器層的所述第二表面安置,其中個(gè)別微透鏡經(jīng)配置以引導(dǎo)傳入光穿過對(duì)應(yīng)的濾光器及彩色濾波器而到達(dá)相應(yīng)的光電二極管上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,
其中所述多個(gè)光電二極管包括經(jīng)配置以對(duì)所述傳入光的對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)作出響應(yīng)的紅外線IR通道、綠色G通道、紅色R通道及藍(lán)色B通道,
其中所述多個(gè)濾光器包括經(jīng)配置以透射所述傳入光的波長(zhǎng)的透通Clear濾波器、經(jīng)配置以阻擋傳入紅外線光的阻擋Block濾波器及經(jīng)配置以透射傳入紅外線光的通過Pass濾波器,
其中所述多個(gè)彩色濾波器包括:經(jīng)配置以透射藍(lán)色光的藍(lán)色B濾波器、經(jīng)配置以透射綠色光的綠色G濾波器、經(jīng)配置以透射紅色光的紅色R濾波器及經(jīng)配置以透射紅外線光的紅外線IR濾波器,且
其中所述Pass濾波器安置在所述IR通道與所述IR濾波器之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中所述G通道靠近所述IR通道的側(cè)面安置,且其中所述Clear濾波器安置在所述G通道與所述G濾波器之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中所述B通道相對(duì)于所述IR通道對(duì)角地安置,且其中所述Block濾波器安置在所述B通道與所述B濾波器之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中所述R通道相對(duì)于所述IR通道對(duì)角地安置,且其中所述Block濾波器安置在所述R通道與所述R濾波器之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述多個(gè)光電二極管中的個(gè)別光電二極管包括安置在所述光電二極管的半導(dǎo)體材料中的微結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器,其中所述微結(jié)構(gòu)是單元深溝槽隔離CDTI微結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,
其中所述多個(gè)光電二極管包括經(jīng)配置以對(duì)所述傳入光的對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)作出響應(yīng)的紅外線IR通道、綠色G通道、紅色R通道及藍(lán)色B通道,且
其中所述IR通道包括安置在所述IR通道的半導(dǎo)體材料中的微結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述微結(jié)構(gòu)是第一微結(jié)構(gòu),所述圖像傳感器進(jìn)一步包括安置在所述G通道的所述半導(dǎo)體材料中的第二微結(jié)構(gòu),其中所述G通道靠近所述IR通道的側(cè)面安置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器,其中所述第二微結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以朝向所述IR通道引導(dǎo)所述傳入光。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述B通道相對(duì)于所述IR通道對(duì)角地安置,且其中所述B通道的所述半導(dǎo)體材料不具有微結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述IR通道相對(duì)于所述IR通道對(duì)角地安置,且其中所述R通道的所述半導(dǎo)體材料不具有微結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述微結(jié)構(gòu)包括多個(gè)單元深溝槽隔離CDTI微結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像傳感器,其中所述多個(gè)CDTI微結(jié)構(gòu)中的個(gè)別微結(jié)構(gòu)具有相同的形狀及大小。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





