[發明專利]一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片在審
| 申請號: | 202010918627.0 | 申請日: | 2020-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN112038266A | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 孫福志 | 申請(專利權)人: | 孫福志 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 410000 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 熱纏縛 技術 半導體 硅片 | ||
1.一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片,包括貼片主體(1)和多個均勻分布的散落鉤球(2),其特征在于:所述散落鉤球(2)包括第一外包囊層(3),所述第一外包囊層(3)內底端固定連接有主磁性球(4),所述貼片主體(1)底端固定連接有第二外包囊層(5),所述第二外包囊層(5)內頂端固定連接有反應磨粉球(6),所述第一外包囊層(3)和第二外包囊層(5)均由多個均勻分布的扇形囊片(7)構成,所述第一外包囊層(3)上端固定連接有多個均勻分布的上倒掛鉤(8),所述第二外包囊層(5)底端固定連接有多個均勻分布的下倒掛鉤(9)。
2.根據權利要求1所述的一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片,其特征在于:所述主磁性球(4)內開鑿有內置球形空腔(10),所述內置球形空腔(10)內壁固定連接有橫向分布的環形存儲囊片(11),所述環形存儲囊片(11)內填充有氯化銨粉末(12)。
3.根據權利要求1所述的一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片,其特征在于:所述第一外包囊層(3)和第二外包囊層(5)的內壁均開鑿有預折彎槽。
4.根據權利要求1所述的一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片,其特征在于:所述下倒掛鉤(9)由磁性形態記憶合金材料制成,所述下倒掛鉤(9)的平衡溫度為40℃。
5.根據權利要求1所述的一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片,其特征在于:所述下倒掛鉤(9)外端固定連接有多個均勻分布的毛細纖維刺(901),每相鄰兩個所述毛細纖維刺(901)之間的間距為50μm。
6.根據權利要求2所述的一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片,其特征在于:所述環形存儲囊片(11)由橡膠材料制成,所述環形存儲囊片(11)外端設置成波紋狀。
7.根據權利要求2所述的一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片,其特征在于:所述內置球形空腔(10)內設有與主磁性球(4)內壁固定連接的彈性復位繩(1001),所述彈性復位繩(1001)與環形存儲囊片(11)內壁之間固定連接有多個均勻分布的側篩分連接繩(1002)。
8.根據權利要求1-7任意一項所述的一種基于熱纏縛技術的半導體硅片貼片的使用方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1、通過將貼片主體(1)貼附在半導體硅片上,借助上倒掛鉤(8)扎入粘結膠層(101)中時的反作用力,可以促使第一外包囊層(3)從主磁性球(4)外側剝離;
S2、在露出的主磁性球(4)的吸引作用下,促使下倒掛鉤(9)偏移,從而促使第二外包囊層(5)內的反應磨粉球(6)露出,并促使反應磨粉球(6)與空氣反應放出大量熱量;
S3、借助溫度的提高,可以促使下倒掛鉤(9)變軟,通過將上倒掛鉤(8)和下倒掛鉤(9)模擬成魔術貼的刺毛和軟毛,從而提高半導體硅片與貼片之間的連接強度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





