[發明專利]蝕刻組合物，使用其蝕刻半導體器件的絕緣膜的方法以及制備半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202010908291.X
• 申請日: 2020-09-02
• 公開（公告）號: CN112442372A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 金喆禹;李光國;郭宰熏;金榮汎;辛姃河;李宗昊;趙珍耿
• 申請（專利權）人: SK新技術株式會社;愛思開新材料有限公司
• 主分類號: C09K13/04
• 分類號: C09K13/04;C09K13/06;H01L21/311
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 劉成春;孫永梅

1.一種蝕刻組合物，其包括：

磷酸、包含至少一個硅(Si)原子的硅烷化合物以及由以下式1表示的銨鹽：

[式1]

其中：

L¹-L³獨立地為取代或未取代的亞烴基，

R¹-R⁴獨立地為氫、取代或未取代的烴基基團，以及

X^n-為n價陰離子，其中n為1-3的整數。

2.根據權利要求1所述的蝕刻組合物，其中X為選自鹵素、C₁-C₁₀羧酸根、甲苯磺酸根、硫酸根、甲磺酸根、硫酸氫根、碳酸根、碳酸氫根、磷酸根、磷酸氫根、磷酸二氫根和硝酸根中的一種。

3.根據權利要求1所述的蝕刻組合物，其中L¹-L³獨立地為取代或未取代的C₁-C₅亞烷基。

4.根據權利要求3所述的蝕刻組合物，其中L¹-L³相同。

5.根據權利要求4所述的蝕刻組合物，其中L¹-L³為-CH₂CH₂-或-CH₂CH(CH₃)-。

6.根據權利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述烴基基團為取代或未取代的C₁-C₂₀烷基基團或取代或未取代的C₆-C₂₀芳基基團。

7.根據權利要求1所述的蝕刻組合物，其中R¹-R³為氫，并且R⁴為氫或C₁-C₂₀烷基基團。

8.根據權利要求7所述的蝕刻組合物，其中R⁴為氫或-CH₃。

9.根據權利要求1所述的蝕刻組合物，其中，式1選自以下結構式1-結構式14：

其中OAc、OTs和OMs分別代表乙酸根、對甲苯磺酸根和甲磺酸根。

10.根據權利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述硅烷化合物由以下式2表示：

[式2]

其中，在式2中，

R⁵¹-R⁵⁴獨立地為氫、取代或未取代的烴基基團或取代或未取代的雜烴基基團，并且R⁵¹-R⁵⁴獨立地存在或它們中的兩個以上通過雜原子形成環。

11.根據權利要求1-10中任一項所述的蝕刻組合物，其包含70重量％-95重量％的所述磷酸、0.001重量％-5重量％的所述硅烷化合物和0.001重量％-10重量％的由式1表示的所述銨鹽。

12.一種使用權利要求1-10中任一項所述的蝕刻組合物蝕刻絕緣膜的方法。

13.一種制備半導體器件的方法，其包括：

在基板上依次形成隧穿氧化物膜、多晶硅膜、緩沖氧化物膜和墊氮化物膜；

通過選擇性地刻蝕所述多晶硅膜、所述緩沖氧化物膜和所述墊氮化物膜形成溝槽；

形成SOD氧化物膜以間隙填充所述溝槽；

使用所述墊氮化物膜作為拋光停止膜在所述SOD氧化物膜上進行化學機械拋光(CMP)工藝；

使用權利要求1-10中任一項所述的蝕刻組合物通過濕法蝕刻來去除所述墊氮化物膜；和

去除所述緩沖氧化物膜。