[發明專利]半導體器件和制造方法

在審

• 申請號: 202010894494.8
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN113053821A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 李家慶;鐘鴻欽;吳仲強;童宣瑜;邱冠璋;陳建豪;徐志安
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 朱亦林

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

從半導體襯底形成鰭；

在所述鰭之上形成柵極電介質；

在所述柵極電介質之上形成功函數層；以及

修改所述功函數層的表面，其中，修改所述表面是至少部分地利用注入活性元素的化學浸泡來執行的。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述活性元素是鋁。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述化學浸泡包括將鋁引入到所述功函數層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述功函數層是至少部分地利用原子層沉積工藝形成到介于至之間的厚度來執行的。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，還包括：使所述活性元素與氧反應。

6.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體材料的溝道區域之上沉積柵極電介質，所述溝道區域與所述半導體材料的多個側相鄰；

使用原子層沉積工藝在所述柵極電介質之上沉積功函數層；

將所述功函數層浸泡在前體材料中，其中，浸泡所述功函數層在所述功函數層內形成摻雜劑層；以及

在所述功函數層之上沉積填充材料。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述前體材料是氯化鈦。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，沉積所述功函數層將所述功函數層沉積到至之間的厚度。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述浸泡所述功函數層是與沉積所述功函數層原位執行的。

10.一種半導體器件，包括：

半導體鰭；

電介質材料，所述電介質材料與所述半導體鰭相鄰；

功函數層，所述功函數層位于所述電介質材料之上，所述功函數層包括摻雜劑層；以及

填充材料，所述填充材料位于所述功函數層之上。