[發明專利]半導體結構

在審

• 申請號: 202010887595.2
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN114121839A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 劉杰;張麗霞;應戰
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發明實施例提供一種半導體結構，包括：半導體基底，所述半導體基底具有第一面和與所述第一面相對的第二面；焊盤，所述焊盤位于所述第一面；熱傳遞層，所述熱傳遞層位于所述第一面，且所述熱傳遞層與所述焊盤接觸；凹槽，所述凹槽位于所述半導體基底內，且所述凹槽與所述熱傳遞層連通。本發明實施例提供的一種半導體結構，有利于解決半導體結構散熱能力差和半導體結構中焊盤局部溫度過高的問題。

技術領域

本發明實施例涉及集成電路封裝技術領域，特別涉及一種半導體結構。

背景技術

隨著集成電路不斷的改進、發展，體積不斷的減小，在功能上則不斷的提升，而在提升功能的同時，集成電路所需要的芯片數量越來越多、半導體封裝的集成度和整合度逐步增強，對于半導體的散熱管理便成為集成電路與半導體封裝制程中十分重要的設計重點。由于芯片嵌入在散熱能力不良的有機材料內部，熱量無法快速散出可能會造成系統性能下降甚至完全失效。

在堆疊封裝半導體結構中，散熱性能尤為重要。由于目前各種散熱技術都無法有效傳導或消散焊盤的熱量，導致半導體封裝結構中局部溫度峰值過高，且對整個半導體封裝結構的可靠性產生負面影響。

發明內容

本發明實施例提供一種半導體結構，用于解決半導體結構散熱能力差和半導體結構中焊盤局部溫度過高的問題。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種半導體結構，包括：半導體基底，所述半導體基底具有第一面和與所述第一面相對的第二面；焊盤，所述焊盤位于所述第一面；熱傳遞層，所述熱傳遞層位于所述第一面，且所述熱傳遞層與所述焊盤接觸；凹槽，所述凹槽位于所述半導體基底內，且所述凹槽與所述熱傳遞層連通。

另外，所述凹槽沿垂直所述半導體基底的方向貫穿所述半導體基底；或者，所述凹槽為位于所述半導體基底內的盲孔。

另外，所述凹槽為位于所述半導體基底的盲孔，所述半導體結構還包括：連通孔，所述連通孔位于所述半導體基底內且所述連通孔的延伸方向與所述凹槽的延伸方向不同，所述半導體基底暴露出所述連通孔的一端，且所述連通孔的另一端與所述凹槽相連通。

另外，所述熱傳遞層與所述焊盤的側面相接觸。

另外，所述熱傳遞層與所述焊盤朝向所述第二面的底面相接觸。

另外，所述熱傳遞層的材料為絕緣材料。

另外，熱傳遞層的材料包括：導熱硅膠、導熱絕緣彈性橡膠或導熱填充膠。

另外，所述熱傳遞層覆蓋所述凹槽的一端。

另外，所述凹槽的數量為多個，且同一所述熱傳遞層與多個所述凹槽連通。

另外，還包括：導熱層，所述導熱層位于所述凹槽內，且所述導熱層的體積小于所述凹槽的容積。

另外，所述導熱層為金屬材料。

另外，所述半導體基底包括中間區域以及環繞所述中間區域的邊緣區域，所述凹槽包括：位于所述中間區域的第一凹槽，位于所述邊緣區域的第二凹槽，且所述第一凹槽貫穿所述半導體基底，所述第二凹槽為位于所述半導體基底內的盲孔。

另外，還提供一種半導體封裝結構，其特征在于，包括多個依次堆疊設置的上述任一所述的半導體結構。

另外，多個所述半導體結構的多個所述凹槽相連通。

另外，多個所述半導體結構包括第一半導體結構和第二半導體結構；所述第二半導體結構還包括位于所述第二半導體結構第二面的焊盤；所述第一半導體結構第一面的焊盤和所述第二半導體結構第二面的焊盤相連接。

與現有技術相比，本發明實施例提供的技術方案具有以下優點：