[發明專利]對電力損失的響應

在審

• 申請號: 202010886834.2
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112447243A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: K·C·卡瓦利普拉普;郭曉江
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30;G11C5/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發明涉及對電力損失的響應。本發明涉及操作存儲器的方法及經配置以執行類似方法的存儲器，所述方法可包含：響應于供應電壓減小到第一閾值，起始通過晶體管連接到局部存取線的全局存取線的放電且使所述晶體管的控制柵極電浮動；及響應于所述供應電壓減小到低于所述第一閾值的第二閾值，起始所述晶體管的所述控制柵極的放電。

技術領域

本發明大體來說涉及集成電路元件，且特定來說，在一或多個實施例中，本發明涉及用于對電力損失做出響應的方法及設備。

背景技術

集成電路裝置遍及寬廣范圍的電子裝置。一種特定類型包含存儲器裝置，時常地簡稱為存儲器。存儲器裝置通常經提供作為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路裝置。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)及快閃存儲器。

快閃存儲器已發展成用于寬廣范圍的電子應用的非易失性存儲器的普遍來源。快閃存儲器通常使用允許高存儲器密度、高可靠性及低電力消耗的單晶體管存儲器單元。通過對電荷存儲結構(例如，浮動柵極或電荷陷阱)進行編程(其通常稱為寫入)而發生的存儲器單元的閾值電壓(Vt)的改變或其它物理現象(例如，相變或極化)確定每一存儲器單元的數據狀態(例如，數據值)。快閃存儲器及其它非易失性存儲器的常見用途包含個人計算機、個人數字助理(PDA)、數碼相機、數字媒體播放器、數字記錄器、游戲、器具、交通工具、無線裝置、移動電話及可裝卸式存儲器模塊，且非易失性存儲器的用途不斷擴大。

NAND快閃存儲器是快閃存儲器裝置的常見類型，如此稱謂是出于基本存儲器單元配置所布置成的邏輯形式。通常，NAND快閃存儲器的存儲器單元陣列經布置使得陣列的行的每一存儲器單元的控制柵極連接在一起以形成存取線，例如字線。陣列的列包含在一對選擇柵極(例如，源極選擇晶體管與漏極選擇晶體管)之間串聯連接在一起的存儲器單元串(通常稱為NAND串)。每一源極選擇晶體管可連接到源極，而每一漏極選擇晶體管可連接到數據線，例如列位線。已知在存儲器單元串與源極之間及/或在存儲器單元串與數據線之間使用一個以上選擇柵極的變化形式。

集成電路裝置通常依賴于具有穩定供應電壓電平的電力供應器來進行恰當操作。如果裝置被突然斷電或在其它方面以不受控方式失去電力(例如，異步電力損失)，那么裝置可需要采取行動來將裝置內的電壓電平放電以減輕信息損毀或甚至對裝置自身的物理損壞。

發明內容

本發明的一個實施例提供一種操作存儲器的方法，其包括：響應于供應電壓減小到第一閾值，起始通過晶體管連接到局部存取線的全局存取線的放電且使所述晶體管的控制柵極電浮動；及響應于所述供應電壓減小到低于所述第一閾值的第二閾值，起始所述控制柵極的放電。

本發明的另一實施例提供一種操作存儲器的方法，其包括：響應于供應電壓減小到第一閾值：停止對所述存儲器的存儲器單元陣列的特定存儲器單元的存取操作；起始多個全局存取線的放電，其中所述多個全局存取線中的每一全局存取線通過多個晶體管中的相應晶體管連接到多個局部存取線中的相應局部存取線，其中所述多個晶體管的控制柵極是共同連接的；且使所述多個晶體管的所述控制柵極電浮動；及響應于所述供應電壓減小到低于所述第一閾值的第二閾值：起始所述多個晶體管的所述控制柵極的放電。

本發明的又一實施例提供一種存儲器，其包括：存儲器單元陣列；局部存取線，其連接到所述存儲器單元陣列的多個存儲器單元；全局存取線，其通過晶體管選擇性地連接到所述局部存取線；放電電路，其選擇性地連接到所述晶體管的控制柵極；及能量存儲器件，其選擇性地連接到供應電壓節點且選擇性地連接到所述放電電路；其中所述能量存儲器件經配置以在所述供應電壓節點的電壓電平高于第一閾值時連接到所述供應電壓節點且與所述放電電路斷開連接；且其中所述能量存儲器件經配置以響應于所述供應電壓節點的所述電壓電平從所述第一閾值減小到低于第二閾值而與所述供應電壓節點斷開連接且連接到所述放電電路。