[發明專利]半導體裝置及半導體元件

在審

• 申請號: 202010886116.5
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112447610A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 中田洋輔
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/31
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

本發明涉及半導體裝置及半導體元件。提供即使在由于由溫度循環引起的應力而使半導體元件從封裝樹脂承受到應力的情況下，也對半導體元件表面的保護膜的剝離進行了抑制的半導體裝置。具有：基板；半導體元件，其與基板接合；以及封裝樹脂，其對基板的至少一部分和半導體元件進行封裝，半導體元件具有：有源區域，其在半導體元件的接通狀態下流過主電流；有源區域的周圍的末端區域；錨定膜，其設置于末端區域的絕緣膜之上；以及保護膜，其至少將包含錨定膜的末端區域覆蓋，錨定膜由與絕緣膜不同的材料構成，具有分散地設置的多個開口部。

技術領域

本發明涉及半導體裝置，特別是就對半導體元件進行樹脂封裝的半導體裝置而言，涉及對保護半導體元件的保護膜的剝離進行了抑制的半導體裝置。

背景技術

在專利文獻1中公開了通過環氧類樹脂等固化型樹脂對半導體元件進行了封裝的半導體裝置。另外，在專利文獻2中公開了如下半導體裝置，即，電極部件與半導體元件的表面側和背面側接合，電極部件的至少一部分和半導體元件由封裝樹脂覆蓋。另外，近年來，為了能夠進一步應對損耗降低和高溫工作，由碳化硅(SiC)構成的SiC半導體元件正在被開發、實用化，也搭載于上述那樣的半導體裝置。在專利文獻3中公開了如下半導體裝置，即，在SiC層之上形成層疊有第1、第2絕緣層的絕緣層，在第1絕緣層設置到達SiC層表面的貫穿孔，通過將第2絕緣層埋入于該貫穿孔而成為凸部，通過該凸部使絕緣層的密接性提高。

專利文獻1：日本特開2004-165406號公報

專利文獻2：日本特開2001-274177號公報

專利文獻3：國際公開第2013/137177號

現有的半導體裝置存在如下課題，即，由于由溫度循環引起的應力，半導體元件從封裝樹脂承受到應力，半導體元件表面的保護膜剝離，可靠性降低等。就專利文獻2所公開的結構的半導體裝置而言，認為由于施加于半導體元件的應力進一步提高，因此保護膜剝離的可能性更高。如果保護膜的剝離例如進展到與末端區域相比處于內側的覆蓋柵極配線的區域，則有時會破壞柵極配線，最終導致特性不良。特別地，就搭載SiC半導體元件的半導體裝置而言，由于SiC的楊氏模量比Si高，因此施加于保護膜的應力提高，剝離容易進一步發展。另外，即使具有如專利文獻3所公開那樣的使絕緣層的密接性提高的結構，在不能夠完全對剝離進行抑制的情況下，也存在成為強電場的SiC半導體元件的末端區域露出，從剝離位置產生放電，耐壓降低的可能性。

發明內容

本發明就是為了解決上述那樣的問題而提出的，其目的在于提供即使在由于由溫度循環引起的應力而使半導體元件從封裝樹脂承受到應力的情況下，也對半導體元件表面的保護膜的剝離進行了抑制的半導體裝置。

本發明涉及的半導體裝置具有：基板；半導體元件，其與所述基板接合；以及封裝樹脂，其對所述基板的至少一部分和所述半導體元件進行封裝，所述半導體元件具有：有源區域，其在所述半導體元件的接通狀態下流過主電流；所述有源區域的周圍的末端區域；錨定膜，其設置于所述末端區域的絕緣膜之上；以及保護膜，其至少將包含所述錨定膜的所述末端區域覆蓋，所述錨定膜由與所述絕緣膜不同的材料構成，具有分散地設置的多個開口部。

發明的效果

根據本發明涉及的半導體裝置，通過在半導體元件的末端區域的絕緣膜之上設置錨定膜，即使在由于由溫度循環引起的應力而使半導體元件從封裝樹脂承受到應力的情況下，保護膜也會鉤掛于錨定膜的開口部，由此保護膜作為拉伸應力而分擔地承受來自封裝樹脂的應力，其結果，能夠減小剝離前端部的壓縮應力，能夠抑制保護膜的剝離。

附圖說明

圖1是說明本發明涉及的實施方式1的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖2是表示本發明涉及的實施方式1的半導體裝置所搭載的半導體元件的結構的俯視圖。

圖3是表示本發明涉及的實施方式1的半導體裝置所搭載的半導體元件的結構的局部剖視圖。