[發明專利]表面增強拉曼散射基底及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 202010884985.4 | 申請日： | 2020-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN111896523A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 徐國良;李威威;陳明;楊春雷 | 申請（專利權）人： | 深圳先進技術研究院 |
| 主分類號： | G01N21/65 | 分類號： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰;黃進 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 增強 散射 基底 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種表面增強拉曼散射基底，其特征在于，包括：
支撐襯底，
呈直立狀地生長于所述支撐襯底上的半導體納米片陣列；以及，
沉積于所述半導體納米片陣列上的貴金屬層。
2.根據權利要求1所述的表面增強拉曼散射基底，其特征在于，所述半導體納米片陣列中的納米片的厚度為20nm～30nm，高度為80μm～120μm。
3.根據權利要求1或2所述的表面增強拉曼散射基底，其特征在于，所述半導體納米片陣列中的納米片為硒化錫納米片。
4.根據權利要求3所述的表面增強拉曼散射基底，其特征在于，所述硒化錫納米片中，Sn與Se的原子比為1：1.6～2.2。
5.根據權利要求1所述的表面增強拉曼散射基底，其特征在于，所述貴金屬層的厚度為4nm～28nm。
6.根據權利要求5所述的表面增強拉曼散射基底，其特征在于，所述貴金屬層的材料為金或銀。
7.一種如權利要求1-6任一所述的表面增強拉曼散射基底的制備方法，其特征在于，包括：
提供支撐襯底；
在所述支撐襯底上生長形成所述半導體納米片陣列；
在所述半導體納米片陣列上沉積形成所述貴金屬層。
8.根據權利要求7所述的表面增強拉曼散射基底的制備方法，其特征在于，應用分子束外延工藝在所述支撐襯底上生長形成所述半導體納米片陣列，生長時間為1min～30min；應用濺射工藝在所述半導體納米片陣列上沉積所述貴金屬層，沉積時間為1min～7min。
9.一種如權利要求1-6任一所述的表面增強拉曼散射基底在瘧疾臨床檢測裝置中的應用，其特征在于，所述表面增強拉曼散射基底被配置為用于檢測待測樣品的拉曼散射信號。
10.一種如權利要求1-6任一所述的表面增強拉曼散射基底在檢測待測物的拉曼信號的應用，其特征在于，檢測步驟包括：在所述表面增強拉曼散射基底的貴金屬層的表面上滴加待測物溶液，干燥后，用拉曼光譜儀檢測所述待測物的拉曼散射信號。
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