[發明專利]切片電池的制備方法、切片電池及光伏組件

有效

• 申請號: 202010882764.3
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN111916533B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 蘇州聯諾太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0747
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 宋永慧

本申請提供一種切片電池的制備方法、切片電池及光伏組件，包括：提供硅片；切割硅片，得到多個分離的具有預設尺寸的子硅片；以子硅片為基底制作切片電池。上述切片電池的制備方法，提前將硅襯底切割成多個分離的子硅片，并分別以各子硅片為基底來制備切片電池，可避免后續“掰”片或裂片對切片電池造成的二次損傷，從而提升切片電池的良品率，并提高電池的光電轉換效率。除此之外，通過上述方法可在降低電池損傷的同時，降低高主柵切片電池的制備難度和制備成本，實現高主柵切片電池的批量化生產。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，特別是涉及一種切片電池的制備方法、切片電池及光伏組件。

背景技術

近年來，隨著太陽能電池技術瓶頸的不斷突破，太陽能電池的效率越來越高，各種新型太陽能電池也隨之成為人們關注的重點。

半片電池，又稱半切電池，是將完整的太陽能電池切成兩小塊而制備成的。由于電流減小了一半，再結合先串聯后并聯的排布方式形成光伏組件，因此，可以顯著地降低光伏組件的內阻消耗，增加組件的輸出功率。半片、疊片光伏組件近兩年發展迅速，而激光切片是半片、疊片組件制作中不可或缺的一道工序。

傳統的晶體硅襯底電池通常在電池芯片制作完成后進行切割，目前主流有兩種切割方式：(1)采用納米激光，在鋁背場面入射，切割整個電池芯片厚度約2/3后，使用“掰”片的方式進行裂片；(2)先刻槽，然后再使用激光通過熱應力的方式裂片。

然而，若采用第(1)種方法，“掰”片時碎片效率較高，電池的良品率較低；若采用第(2)種方法，則對于目前市面上主流的PERC(鈍化發射區背面電池)經過兩道激光劃刻后，在斷面處容易產生缺陷，半片切割的電池效率損失在0.1-0.2％左右，易影響后續組件功率的提升。對于SHJ(晶體硅異質結太陽電池)這種更高效率的電池，斷面缺陷的產生對電池效率的影響更為明顯，目前公認的半片切割的電池效率損失在0.2-0.4％之間。如果切割成3分片、4分片，則產生的切割損失會更多。

發明內容

基于此，有必要針對傳統的切割方式使得SHJ太陽能電池的效率損失較大、良品率不高的問題，提供一種改進的切片電池的制備方法。

一種切片電池的制備方法，包括：

提供硅片；

切割所述硅片，得到多個分離的具有預設尺寸的子硅片；

以所述子硅片為基底制作所述切片電池。

上述切片電池的制備方法，通過提前將硅襯底切割成多個分離的子硅片，并分別以各子硅片為基底來制備切片電池，可避免后續“掰”片或裂片對切片電池造成的二次損傷，從而提升切片電池的良品率，并提高電池的光電轉換效率。除此之外，通過上述方法可在降低電池損傷的同時，有利于實現大尺寸硅片的切片電池批量化生產，滿足產業化需求。

在其中一個實施例中，所述子硅片的其中一條邊的邊長大于與之相鄰的另一邊的邊長。

在其中一個實施例中，所述以所述子硅片為基底制作所述切片電池之前，包括：對所述子硅片進行制絨；以及，清洗所述子硅片。

在其中一個實施例中，所述以所述子硅片為基底制作所述切片電池，包括：在所述清洗后的子硅片的第一表面沉積第一本征硅基薄膜層；在所述第一本征硅基薄膜層上形成n型摻雜膜層；在所述子硅片的與所述第一表面相對的第二表面沉積第二本征硅基薄膜層；在所述第二本征硅基薄膜層上形成p型摻雜膜層；分別在所述n型摻雜膜層和所述p型摻雜膜層上制備透明導電氧化物層；在所述透明導電氧化物層表面通過絲印形成正負電極，得到所述切片電池。

在其中一個實施例中，所述子硅片的切割斷面覆蓋有膜，所述膜包括所述本征硅基薄膜層和所述摻雜膜層。

在其中一個實施例中，所述膜覆蓋所述子硅片的切割斷面的全部表面。