[發(fā)明專利]切片電池的制備方法、切片電池及光伏組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010882764.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN111916533B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 請(qǐng)求不公布姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州聯(lián)諾太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/20
• 分類號(hào): H01L31/20;H01L31/0747
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 宋永慧

1.一種切片電池的制備方法，其特征在于，包括：

提供硅片；

切割所述硅片，得到多個(gè)分離的具有預(yù)設(shè)尺寸的子硅片；

以所述子硅片為基底制作所述切片電池；

所述以所述子硅片為基底制作所述切片電池之前，包括：

對(duì)所述子硅片進(jìn)行制絨；以及，清洗所述子硅片；

所述以所述子硅片為基底制作所述切片電池，包括：

在所述清洗后的子硅片的第一表面以及所述子硅片的完全裸露于環(huán)境的切割斷面處沉積第一本征硅基薄膜層；

在所述第一本征硅基薄膜層上形成n型摻雜膜層；

在所述子硅片的與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及所述切割斷面處沉積第二本征硅基薄膜層；

在所述第二本征硅基薄膜層上形成p型摻雜膜層；

所述子硅片的切割斷面覆蓋有膜，所述膜覆蓋所述子硅片的切割斷面的全部表面，且包括依次形成的第一本征硅基薄膜層、n型摻雜膜層、第二本征硅基薄膜和p型摻雜膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切片電池的制備方法，其特征在于，所述子硅片的其中一條邊的邊長(zhǎng)大于與之相鄰的另一邊的邊長(zhǎng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切片電池的制備方法，其特征在于，所述以所述子硅片為基底制作所述切片電池，還包括：

分別在所述n型摻雜膜層和所述p型摻雜膜層上制備透明導(dǎo)電氧化物層；

在所述透明導(dǎo)電氧化物層表面通過絲印形成正負(fù)電極，得到所述切片電池。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切片電池的制備方法，其特征在于，所述以所述子硅片為基底制作所述切片電池之后，還包括：

檢測(cè)所述切片電池的電性能參數(shù)，并對(duì)所述切片電池分檔。

5.一種切片電池，利用如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備方法制得，其特征在于，所述切片電池的主柵數(shù)量大于或等于5。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的切片電池，其特征在于，所述切片電池的主柵數(shù)量大于或等于9。

7.一種光伏組件，其特征在于，包括如權(quán)利要求5-6任一項(xiàng)所述的切片電池。