[發(fā)明專利]一種可控硅的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010876712.5
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN111968915A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭錦春;鄭李耿
• 申請（專利權(quán)）人: 錦州市錦利電器有限公司
• 主分類號: H01L21/332
• 分類號: H01L21/332;H01L21/28
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 楊媛媛

1.一種可控硅的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

制作圓形PNP結(jié)構(gòu)硅片；

將鉬片層、鋁箔和所述PNP結(jié)構(gòu)硅片進(jìn)行燒結(jié)成為一個整體，記為集成芯片；所述鉬片層由N個尺寸相同的圓形鉬片平鋪構(gòu)成，所述鋁箔位于所述鉬片層上方，所述PNP結(jié)構(gòu)硅片位于所述鋁箔上方；各相鄰所述鉬片均相外切，所述鉬片層所在平面與所述PNP結(jié)構(gòu)硅片所在平面平行；

將所述集成芯片進(jìn)行蒸鋁，使所述集成芯片的上端面形成鋁層；

對蒸鋁后的所述集成芯片通過合金爐進(jìn)行合金；

將合金后的所述集成芯片按照各所述鉬片的邊進(jìn)行分割，獲得N個單獨的芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅的制作方法，其特征在于，所述制作PNP結(jié)構(gòu)硅片，具體包括：

利用摻雜源對圓形硅片進(jìn)行擴散，獲得初級PNP結(jié)構(gòu)；

將所述初級PNP結(jié)構(gòu)的硅片進(jìn)行氧化；

對氧化后的所述初級PNP結(jié)構(gòu)的硅片的上端面進(jìn)行第一次光刻；

對所述第一次光刻后的所述PNP結(jié)構(gòu)的硅片的上端面進(jìn)行磷礦，獲得所述PNP結(jié)構(gòu)硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：對所述蒸鋁后的所述集成芯片的上端面進(jìn)行第二次光刻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅的制作方法，其特征在于，所述合金爐的溫度為540℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅的制作方法，其特征在于，所述圓形PNP結(jié)構(gòu)硅片直徑為D，所述鉬片數(shù)量為7，所述鉬片的直徑為d，以一個所述鉬片為中心鉬片，剩余鉬片均與所述中心鉬片相外切，3*dD。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可控硅的制作方法，其特征在于，所述鋁箔為直徑為B的圓形，3*dB，BD。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可控硅的制作方法，其特征在于，所述圓形PNP結(jié)構(gòu)硅片的直徑D為125mm，所述鉬片的直徑d為40mm，所述鋁箔直徑為124mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅的制作方法，其特征在于，所述方法還包括對合金后的所述集成芯片按照設(shè)定的造型進(jìn)行臺面造型。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅的制作方法，其特征在于，對各所述芯片進(jìn)行表面鈍化。