[發明專利]集成饋電器的移相器及應用其的天線

在審

• 申請號: 202010873883.2
• 申請日: 2020-08-26
• 公開（公告）號: CN113745775A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 王強;徐慧俊;李志龍;劉培濤
• 申請（專利權）人: 京信通信技術（廣州）有限公司;京信射頻技術（廣州）有限公司
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18;H01Q3/30;H01Q19/10
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 劉延喜

1.一種集成饋電器的移相器，包括腔體及設于腔體內的移相網絡，所述腔體上設有信號輸入端口，其特征在于，還包括射頻通路和直流通路，所述射頻通路設于腔體內，其一端與所述信號輸入端口連接，另一端連接于所述移相網絡；所述直流通路在所述腔體外側與腔體固定，并與所述射頻通路連接信號輸入端口的一端電連接。

2.根據權利要求1所述的集成饋電器的移相器，其特征在于，所述射頻通路包括第一電容，所述第一電容設于移相器腔體內，所述第一電容一端連接移相網絡，另一端連接信號輸入端口。

3.根據權利要求2所述的集成饋電器的移相器，其特征在于，所述第一電容為微帶線電容，其包括承載所述移相網絡的介質板及敷設于介質板相對兩面并相互耦合的導體帶，兩面的導體帶對應連接所述移相網絡及信號輸入端口。

4.根據權利要求2所述的集成饋電器的移相器，其特征在于，所述第一電容為套筒式電容，包括第一導體柱、第二導體柱及耦合介質，第一導體柱一端連接信號輸入端口，另一端套住第二導體柱的一端，耦合介質分布在第一導體柱及第二導體柱之間，第二導體柱另一端與移相網絡連接。

5.根據權利要求1所述的集成饋電器的移相器，其特征在于，所述直流通路包括電感、第二電容及直流輸出端，所述電感、第二電容及直流輸出端設立在腔體外側，電感一端穿過腔體與射頻通路連接信號輸入端口的一端相接，電感另一端與第二電容一端連接，第二電容與直流輸出端連接。

6.根據權利要求5所述的集成饋電器的移相器，其特征在于，所述第二電容與直流傳輸導線焊接，所述直流傳輸導線遠離第二電容的一端作為所述直流輸出端；

所述腔體上設有第一絕緣體，所述第一絕緣體設在第二電容和直流傳輸導線的焊點與腔體之間，用于實現焊點與腔體的絕緣隔離。

7.根據權利要求5所述的集成饋電器的移相器，其特征在于，所述腔體側壁上靠近射頻通路與信號輸入端口的連接位置處開設有連接孔，所述電感一端的引腳穿過所述連接孔與射頻通路電連接。

8.根據權利要求7所述的集成饋電器的移相器，其特征在于，所述連接孔內設有第二絕緣體，所述第二絕緣體貼合所述連接孔并把電感與射頻通路連接的引腳圍在其中。

9.根據權利要求1至8任意一項所述的集成饋電器的移相器，其特征在于，所述腔體為雙層腔體，每層腔體均設有所述移相網絡、射頻通路和直流通路。

10.一種天線，包括反射板、輻射單元及移相器，所述輻射單元和移相器分設于反射板兩面并電連接，其特征在于，所述移相器為權利要求1至9任意一項所述的集成饋電器的移相器。