[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010872680.1
• 申請(qǐng)日: 2020-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN114121778A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧經(jīng)文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/528;H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有多個(gè)相互分立的位線導(dǎo)電層；

形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述位線導(dǎo)電層并填充相鄰所述位線導(dǎo)電層之間的區(qū)域，所述絕緣層的頂面高于所述位線導(dǎo)電層，且在沿所述基底指向所述絕緣層的方向上，后續(xù)的第二刻蝕工藝對(duì)所述絕緣層的刻蝕速率逐漸增加；采用第一刻蝕工藝，對(duì)位于相鄰所述位線導(dǎo)電層之間的絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成露出所述基底的初始電容接觸孔；

采用所述第二刻蝕工藝，對(duì)所述初始電容接觸孔的側(cè)壁的絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成電容接觸孔，且在沿所述基底指向所述絕緣層的方向上，所述電容接觸孔的開口尺寸逐漸增加，位于所述位線導(dǎo)電層正上方的剩余所述絕緣層作為位線絕緣層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行所述第二刻蝕工藝之前，在沿所述基底指向所述絕緣層的方向上，所述初始電容接觸孔的側(cè)壁的絕緣層的致密度逐漸減小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述絕緣層為單層結(jié)構(gòu)；采用沉積工藝形成所述絕緣層，且所述沉積工藝采用的沉積工藝溫度逐漸減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，形成所述絕緣層包括：依次堆疊形成至少兩層基礎(chǔ)絕緣層，所述基礎(chǔ)絕緣層的材料相同，且在沿所述基底指向所述絕緣層的方向上，處于相鄰層的所述基礎(chǔ)絕緣層的致密度逐層減小；且在形成所述初始電容接觸孔的工藝步驟中，所述初始電容接觸孔的側(cè)壁露出每一層所述基礎(chǔ)絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在所述第一刻蝕工藝之前，形成所述絕緣層包括：形成第一絕緣層，所述第一絕緣層填充相鄰所述位線導(dǎo)電層之間的區(qū)域，且所述第一絕緣層為至少兩層所述基礎(chǔ)絕緣層中距所述基底最近的所述基礎(chǔ)絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在所述第一刻蝕工藝之前，形成所述絕緣層還包括：形成頂層絕緣層，所述頂層絕緣層為所述至少兩層基礎(chǔ)絕緣層中距所述基底最遠(yuǎn)的所述基礎(chǔ)絕緣層；采用原子層沉積工藝形成所述第一絕緣層，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述頂層絕緣層；或者，采用相同的沉積工藝形成所述第一絕緣層以及所述頂層絕緣層，且形成所述第一絕緣層的沉積工藝溫度大于形成所述頂層絕緣層的沉積工藝溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，形成所述絕緣層的工藝步驟包括：在形成所述第一絕緣層之后、形成所述頂層絕緣層之前，在所述第一絕緣層以及所述位線導(dǎo)電層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成所述頂層絕緣層，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層以及所述頂層絕緣層的材料相同，且所述第二刻蝕工藝對(duì)所述頂層絕緣層、所述第二絕緣層以及所述第一絕緣層的刻蝕速率逐漸減小。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，采用原子層沉積工藝形成所述第一絕緣層；采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述第二絕緣層以及所述頂層絕緣層，形成所述頂層絕緣層的沉積工藝溫度小于形成所述第二絕緣層的沉積工藝溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，形成所述第二絕緣層的沉積工藝的溫度范圍為620℃-640℃；形成所述頂層絕緣層的沉積工藝的溫度范圍為600℃-620℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，形成所述第一絕緣層的沉積工藝溫度與形成所述第二絕緣層的沉積工藝溫度相同。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述絕緣層的材料包括氮化硅或者氧化硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝包括濕法刻蝕。