[發(fā)明專利]一種片式衰減器的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010871261.6 | 申請日： | 2020-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN112054273A | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 盧炳健;何國強(qiáng);林瑞芬;莫雪瓊;楊曉平 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01P1/22 | 分類號： | H01P1/22;H01P11/00 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 顏希文;宋亞楠 |
| 地址： | 526000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 衰減器 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種片式衰減器的制備方法，其包括以下步驟：步驟一：采用厚膜工藝或物理沉積工藝在基板的正面成型正面電極層，在基板的背面成型背面電極層；步驟二：在基板的正面通過物理或化學(xué)方法沉積成型薄膜電阻層；步驟三：采用冷激光掃描切割或離子束刻蝕技術(shù)，對薄膜電阻層進(jìn)行修阻；步驟四：采用物理沉積工藝或涂布工藝在基板的兩個(gè)側(cè)邊上成型側(cè)面電極層，得到片式衰減器。本發(fā)明所述的片式衰減器的制備方法，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用厚膜工藝制備片式衰減器以致衰減器產(chǎn)品衰減量不穩(wěn)定、成本較高的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電器元件制備領(lǐng)域，具體涉及一種片式衰減器的制備方法。
背景技術(shù)
目前片式衰減器通常采用厚膜工藝制作，即采用厚膜電阻以及相應(yīng)的導(dǎo)體漿料，通過絲網(wǎng)印刷的工藝將漿料以圖案形式印制在基底材料上，再經(jīng)嚴(yán)格熱處理程序進(jìn)行燒結(jié)。厚膜工藝操作較為簡單，但另一方面，厚膜工藝所用的材料價(jià)格高，導(dǎo)致產(chǎn)品成本偏高，不利于生產(chǎn)；且厚膜工藝在高頻場合應(yīng)用時(shí)，更容易受趨膚效應(yīng)的影響，導(dǎo)致衰減量不穩(wěn)定。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種片式衰減器的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用厚膜工藝制備片式衰減器以致衰減器產(chǎn)品衰減量不穩(wěn)定、成本較高的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所提供的一種片式衰減器，其包括以下步驟：
步驟一：采用厚膜工藝或物理沉積工藝在基板的正面成型正面電極層，在基板的背面成型背面電極層；
步驟二：在基板的正面通過物理或化學(xué)方法沉積成型薄膜電阻層；
步驟三：采用冷激光掃描切割或離子束刻蝕技術(shù)，對薄膜電阻層進(jìn)行修阻，同時(shí)可以對π形電阻的三個(gè)薄膜電阻進(jìn)行匹配調(diào)阻，提高π形電阻的匹配性，以提高衰減器衰減量的精度以及高頻特性；
步驟四：采用物理沉積工藝或涂布工藝在基板的側(cè)邊上成型側(cè)面電極層，得到片式衰減器。
進(jìn)一步地，所述步驟二具體為：采用印刷掩膜工藝或機(jī)械掩膜工藝在基板的正面電極層上成型電阻掩膜層，再通過物理沉積工藝或化學(xué)沉積工藝在電阻掩膜層未覆蓋的位置成型所述薄膜電阻層。
進(jìn)一步地，還包括以下步驟：在修阻后的薄膜電阻層上采用厚膜工藝依次覆蓋第一保護(hù)層和第二保護(hù)層，并在第一保護(hù)層成型后進(jìn)行固化處理。
進(jìn)一步地，所述第一保護(hù)層、第二保護(hù)層的材料為防焊油墨或環(huán)氧樹脂。
進(jìn)一步地，還包括以下步驟：在第二保護(hù)層上采用厚膜工藝印刷成型標(biāo)記層。
進(jìn)一步地，所述正面電極層、背面電極層的材料為金屬導(dǎo)體。
進(jìn)一步地，所述金屬導(dǎo)體為銀、銀鈀、鎳鉻材料、鎳銅材料中的一種。
進(jìn)一步地，還包括以下步驟：在側(cè)面電極層上采用電鍍或化學(xué)鍍的工藝依次成型第一電極層和第二電極層。
進(jìn)一步地，所述第一電極層為鎳層；所述第二電極層為錫層或銀層。
進(jìn)一步地，所述薄膜電阻層的材料為鎳鉻、鎳鉻硅、鎳鉻硅鋁、鎳銅、氮化鉭、鉻硅中的一種。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：通過物理或化學(xué)沉積方法代替厚膜工藝成型薄膜電阻層，同時(shí)配合冷激光掃描切割或離子束刻蝕技術(shù)的修阻工藝對衰減器π形電阻的三個(gè)薄膜電阻進(jìn)行匹配調(diào)阻，即降低了電阻厚度，減少了趨膚效應(yīng)的影響，減小了衰減器產(chǎn)品的回波損耗；匹配調(diào)阻提高了π形電阻的配合精度，從而提高了衰減精度；薄膜工藝具有對比厚膜工藝更高的精度以及穩(wěn)定性，提高了產(chǎn)品的長期穩(wěn)定性和環(huán)境耐受性；同時(shí)由于部分制備步驟采用濺射工藝，降低了制備成本。
附圖說明
圖1為本發(fā)明所述的片式衰減器的制備流程圖；
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