[發明專利]一種基于邏輯物理映射表的SPI Nand數據寫入方法在審
| 申請號: | 202010870830.5 | 申請日: | 2020-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN111966302A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 黃歡;施冠良;鄭偉;朱純瑩;鄭文豪 | 申請(專利權)人: | 南京揚賀揚微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 顏盈靜 |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 邏輯 物理 映射 spi nand 數據 寫入 方法 | ||
本發明公開了一種基于邏輯物理映射表的SPI Nand數據寫入方法,包括:將寫命令中的邏輯地址解析成相應的邏輯塊和頁;判斷是否存在該邏輯塊對應的動態塊;以及當存在對應動態塊時,則將寫入數據存放至其一的動態塊中,并在邏輯物理映射表中記錄存放位置;當不存在對應動態塊時,則判斷是否存在空的動態塊,若存在空的動態塊,則將寫入數據存放至該動態塊中,在邏輯物理映射表中記錄存放位置;若不存在空的動態塊,則從所有被占用動態塊中提取一動態塊,將該動態塊中的所有數據整理至一個新的數據塊,完成該動態塊釋放,并且在邏輯物理映射表中更新存放位置,同時將寫入數據存放至釋放出來的動態塊中,并在邏輯物理映射表中記錄存放位置。
技術領域
本發明屬于存儲芯片技術領域,具體涉及一種基于邏輯物理映射表的SPI Nand數據寫入方法。
背景技術
Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器因其具有容量較大,改寫速度快、適用于大量數據的存儲等優點,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
Nand-flash存儲器的寫操作很特殊,必須是先擦除,然后才能寫入數據,即要求保證寫的存儲單元里沒有數據,所以用戶在進行寫操作時,首先要判斷寫的頁地址是否有被寫過,如果有則需要先進行擦除,但有些情形下,用戶在使用時需要對某一地址區域的數據進行持續更新,這種先擦除再寫數據的方式,容易造成不便。
發明內容
發明目的:為了解決用戶在使用時需要進行先擦除再寫數據所造成的使用不便的問題,本發明提出了一種新型L2P(logic to physic)架構的SPI Nand的數據寫入方法。
技術方案:一種基于邏輯物理映射表的SPI Nand數據寫入方法,用于將數據寫入SPI Nand存儲芯片,包括:
將寫命令中的邏輯地址解析成相應的邏輯塊和頁;
判斷是否存在該邏輯塊對應的動態塊;以及
當存在對應動態塊時,則將寫入數據存放至其一的動態塊中,并在邏輯物理映射表中記錄存放位置;
當不存在對應動態塊時,則判斷是否存在空的動態塊,若存在空的動態塊,則將寫入數據存放至該動態塊中,在邏輯物理映射表中記錄存放位置;若不存在空的動態塊,則從所有被占用動態塊中提取一動態塊,將該動態塊中的所有數據整理至一個新的數據塊,完成該動態塊釋放,并且在邏輯物理映射表中更新存放位置,同時將寫入數據存放至釋放出來的動態塊中,并在邏輯物理映射表中記錄存放位置。
進一步的,寫入數據根據其存儲模式寫入相應的動態塊中,所述存儲模式包括Regular mode和Irregular mode;其對應的動態塊包括Regular塊和Irregular塊;
當存儲模式為Regular mode時,Regular塊中順序寫下數據;
當存儲模式為Irregular mode時,在Irregular塊中的頁亂序寫下數據,記錄每頁對應的物理地址。
進一步的,所述的將該動態塊中的所有數據整理至一個新的數據塊,完成該動態塊釋放,包括:
當順序寫完一個Regular塊時,將該Regular塊直接替換為數據塊,原Regular塊的數據擦除,釋放出來成為沒被占用的Regular塊;
當Irregular塊寫滿時,根據頁表按順序找到每頁對應的數據存放位置,讀取出來寫入一個新的數據塊,把原Irregular塊的數據擦除,釋放出來成為沒被占用的Irregular塊。
進一步的,在所述邏輯物理映射表的每頁的back point中記錄有邏輯塊值、與其相對應的物理頁值以及存儲模式。
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