[發(fā)明專利]一種In-cell觸控基板及制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010867145.7
• 申請(qǐng)日: 2020-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN112051937A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳偉;黃志杰;蘇智昱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041;G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

1.一種In-cell觸控基板制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上制作薄膜晶體管層，所述薄膜晶體管層包括源極、漏極和第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述源極和所述漏極；

制作有機(jī)平坦層，并在有機(jī)平坦層上制作第一孔，第一孔的孔底為第一絕緣層，且第一孔位于所述源極或者所述漏極的區(qū)域上方；

在第一孔中的第一絕緣層上制作第二孔，第二孔的孔底為所述源極或者所述漏極；

制作搭接金屬層和觸控金屬層，所述搭接金屬層通過所述第二孔連接所述源極或者所述漏極，觸控金屬層位于所述第一孔的一側(cè)；

制作第二絕緣層，并在觸控金屬層區(qū)域的第二絕緣層上制作孔，第二絕緣層上的孔的孔底為觸控金屬層；

制作公共電極，所述公共電極通過第二絕緣層上的孔連接觸控金屬層；

制作第三絕緣層，并在搭接金屬層區(qū)域的第三絕緣層上制作第三孔，第三孔貫穿第二絕緣層且第三孔的孔底為搭接金屬層；

制作像素電極，所述像素電極通過第三孔連接所述搭接金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種In-cell觸控基板制作方法，其特征在于，所述制作第二孔時(shí)使用的光罩與所述制作第三孔時(shí)使用的光罩相同，用于讓所述第二孔的形狀與所述第三孔的形狀相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種In-cell觸控基板制作方法，其特征在于，所述在第一孔中的第一絕緣層上制作第二孔時(shí)，還包括如下步驟：

通過干法蝕刻的方式來制作第二孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種In-cell觸控基板制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)；

所述薄膜晶體管的柵極設(shè)置在所述基板上，所述薄膜晶體管的柵極絕緣層設(shè)置在所述柵極上，所述薄膜晶體管的有源層設(shè)置在所述柵極絕緣層上，且所述有源層位于所述柵極的上方，所述源極和所述漏極分別設(shè)置在所述有源層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種In-cell觸控基板制作方法，其特征在于，所述像素電極為ITO。

6.一種In-cell觸控基板，其特征在于，包括：

在基板上設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極、漏極和第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述源極和所述漏極；

在第一絕緣層上設(shè)置有有機(jī)平坦層，所述有機(jī)平坦層上設(shè)置有第一孔，所述第一絕緣層上設(shè)置有第二孔，所述第二孔的孔底為所述源極或者所述漏極，所述第一孔連通到第二孔；

在有機(jī)平坦層上設(shè)置有搭接金屬層和觸控金屬層，所述搭接金屬層通過所述第二孔連接所述源極或者所述漏極，觸控金屬層位于所述第一孔的一側(cè)；

在觸控金屬層和搭接金屬層上設(shè)置有第二絕緣層；

在第二絕緣層上設(shè)置有公共電極，所述公共電極通過第二絕緣層上的孔連接觸控金屬層；

在公共電極上設(shè)置有第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上設(shè)置有像素電極，第三絕緣層上設(shè)置有第三孔，第三孔貫穿第二絕緣層且第三孔的孔底為搭接金屬層，所述像素電極通過第三孔連接所述搭接金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種In-cell觸控基板，其特征在于，所述第二孔的形狀與第三孔的形狀相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種In-cell觸控基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述薄膜晶體管還包括柵極、柵極絕緣層和有源層；

所述柵極設(shè)置在所述基板上，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述柵極上，所述有源層設(shè)置在所述柵極絕緣層上，且所述有源層位于所述柵極的上方，所述源極和所述漏極分別設(shè)置在所述有源層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種In-cell觸控基板，其特征在于，所述像素電極為ITO。