[發(fā)明專利]一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010863143.0
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN111854933A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝奕;劉云飛;周瑜;馮杰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第三研究所
• 主分類號: G01H17/00
• 分類號: G01H17/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421
• 代理人: 張彩珍

1.一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，包括敏感元件，其特征在于，所述敏感元件(2)包括：

襯底(21)，其上形成一橋孔(211)；和

若干敏感絲(20)，平行置于所述橋孔(211)上；

所述敏感絲(20)由上至下依次包括敏感材料層(206)和支撐層(205)，所述敏感材料層(206)為中空結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述敏感元件(2)還包括：

若干對電極(22)，設(shè)置于所述襯底(21)上的所述橋孔(211)兩側(cè)；

所述敏感絲(20)的兩端分別對應(yīng)連接于所述橋孔(211)兩側(cè)的所述電極(22)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述敏感元件(2)還包括：

加熱絲(23)，其置于所述橋孔(211)上，且平行于所述敏感絲(20)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述敏感元件(2)還包括：

加熱絲(23)，其置于所述橋孔(211)上，且平行于所述敏感絲(20)；

所述加熱絲(23)的兩端分別對應(yīng)連接于所述橋孔(211)兩側(cè)的所述電極(22)，若干所述敏感絲(20)對稱分布于所述加熱絲(23)的兩側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述敏感材料層(206)包括上邊界材料層(201)和由所述上邊界材料層(201)的兩側(cè)向下延伸的側(cè)邊界材料層(203，204)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述敏感材料層(206)還包括連接兩所述側(cè)邊界材料層(203，204)的下端的下邊界材料層(202)，所述上邊界材料層(201)、兩側(cè)邊界材料層(203,204)和下邊界材料層(202)相連接，包圍形成中空結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述上邊界材料層(201)、兩側(cè)邊界材料層(203,204)和支撐層(205)的側(cè)邊相連接，包圍形成中空結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述支撐層(205)由下至上依次包括結(jié)合層、承載層和粘附層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述結(jié)合層為SiO₂，所述承載層為Si₃N₄，所述粘附層為Cr或Ti。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種寬響應(yīng)頻帶質(zhì)點振速傳感器，其特征在于，所述敏感材料層(206)為Pt或Au。