[發明專利]一種抗輻照光纜及其制作方法

在審

• 申請號: 202010861874.1
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN111880272A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 黃志新;王亮;楊坤;楊晨;張心賁;曹蓓蓓
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/44
• 分類號: G02B6/44
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種抗輻照光纜，包括有光纖和包層，其特征在于所述的光纖為抗輻照光纖，抗輻照光纖外包覆緊套層，緊套層外包覆PI纖維加強層，PI纖維加強層外繞包PI膜繞包層，所述的PI膜繞包層外再包覆PI纖維外加強層或PI纖維外編織加強層，在PI纖維外加強層或PI纖維外編織加強層外繞包PI膜外繞包層。

2.按權利要求1所述的抗輻照光纜，其特征在于所述的抗輻照光纖為1～3根，所述的抗輻照光纖為單模、多模GI50或者多模GI62.5光纖；所述的緊套層為丙烯酸樹脂緊套層。

3.按權利要求1或2所述的抗輻照光纜，其特征在于所述的PI膜為帶狀PI膜，傾斜疊合繞包構成PI膜繞包層和PI膜外繞包層。

4.按權利要求3所述的抗輻照光纜，其特征在于所述的帶狀PI膜的寬度為0.80～5.0mm，厚度為0.01～0.10μm，繞包節距為0.4～4.0mm；所述的PI膜繞包層和PI膜外繞包層的繞包重疊率為30％～70％。

5.按權利要求1或2所述的抗輻照光纜，其特征在于所述PI膜繞包層的外徑為0.5～3.0mm所述PI膜外繞包層的外徑為0.6～3.5mm。

6.按權利要求1或2所述的抗輻照光纜，其特征在于所述的PI纖維線密度為100dtex～8000dtex，所述的PI纖維編織加強層纖維編織節距為20～60mm。

7.按權利要求1或2所述的抗輻照光纜，其特征在于所述的光纜在-100℃～+150℃溫度范圍內，在1310nm和1550nm窗口的附加損耗均小于或等于0.6dB/km。

8.按權利要求1或2所述的抗輻照光纜，其特征在于所述的光纜在20MRad的輻照條件下正常通信，且輻照附加損耗均小于或等于2.0dB/100m。

9.一種按權利要求1至8中任一所述的抗輻照光纜的制作方法，其特征在于

將抗輻照光纖外涂覆丙烯酸樹脂，通過紫外固化，制作成包覆緊套層的抗輻照光纖后收線，

將包覆緊套層的抗輻照光纖放置在放線架上，與PI纖維同步放線，經導輪、集線模引出，然后通過繞包工藝，繞制PI膜繞包層；

將形成PI膜繞包層的纜芯向前牽引與放線的PI纖維再經集線模引出，或通過編制PI纖維外編織加強層，最后通過繞包工藝，繞包PI膜外繞包層即成。

10.按權利要求9所述的抗輻照光纜的制作方法，其特征在于在繞包過程中各個工藝參數對成纜衰減的影響通過數據擬合得到如下公式：

各個參數用以下單位對應的數值代入，計算出相應的K值為無量綱參數，Lg表示以10為底的對數；

d:PI膜繞包層直徑，待繞包的子纜芯徑，范圍：0.5-3.0mm

t:繞包膜的厚度，范圍：0.01-0.10mm

b:繞包膜的寬度，范圍：0.80-5.0mm

T_m:繞包膜的放線張力，范圍：0.02-4.0N

T_f:光纖放線張力,范圍：1.0-10.0N

C：重疊率：30％～70％

K:光纜附加衰減因子，該因子應介于0.5-7.0之間。