[發明專利]用于堆疊式微電子裝置的集成群接合和包封的方法和設備有效
| 申請號: | 202010854795.8 | 申請日: | 2020-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN112447535B | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發明(設計)人: | B·P·沃茲;B·R·比茨;邵培賢 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/67;H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 堆疊 式微 電子 裝置 集成 接合 方法 設備 | ||
1.一種制造微電子裝置組合件的方法,其包括:
將支撐在襯底上的至少一個微電子裝置堆疊安置在模制設備中;以及
大體上同時進行下列行動:至少部分地包封所述至少一個微電子裝置堆疊,且在所述模制設備內接合所述至少一個微電子裝置堆疊的相互對準的導電元件。
2.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:大體上同時用所述模制設備的至少一個模具節段將垂直力施加到所述至少一個微電子裝置堆疊,且用所述模制設備內的經加熱電介質包封體將熱量施加到所述至少一個微電子裝置堆疊。
3.根據權利要求2所述的方法,其中所述模制設備包括壓縮模制設備,且所述方法進一步包括將所述經加熱的電介質包封體加熱到可流動狀態,同時大體上同時用所述至少一個模具節段將所述垂直力施加到所述至少一個微電子裝置堆疊。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述至少一個微電子裝置堆疊包括若干相互橫向隔開的裸片堆疊,每一裸片堆疊位于所述襯底的未經單分的裸片位置上,所述方法進一步包括將每一裸片位置的導電元件接合到位于其上的裸片堆疊的最低裸片的經對準導電元件。
5.根據權利要求4所述的方法,其進一步包括在至少部分地包封所述若干相互橫向隔開的裸片堆疊之后,穿過所述裸片堆疊之間的電介質包封體且穿過所述襯底來單分所述至少部分地包封的相互橫向隔開的裸片堆疊。
6.根據權利要求1所述的方法,其中接合包括插入接合、共晶接合或低溫焊料接合中的一者。
7.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括在將支撐在襯底上的所述至少一個微電子裝置堆疊安置在所述模制設備中之前,粘著所述至少一個微電子裝置堆疊的相互對準的導電元件。
8.根據權利要求7所述的方法,其進一步包括將所述襯底的導電元件粘著到所述至少一個微電子裝置堆疊的最低微電子裝置的經對準導電元件。
9.根據權利要求8所述的方法,其中所述至少一個微電子裝置堆疊包括若干相互隔開的微電子裝置堆疊,所述方法進一步包括在將另一層微電子裝置添加到所述若干相互隔開的微電子裝置堆疊之前,將所述若干相互隔開的微電子裝置堆疊的每一層微電子裝置的導電元件粘著到所述襯底或下一較低層級的經對準導電元件。
10.根據權利要求9所述的方法,其中接合包括大體上同時群接合所述若干相互隔開的微電子裝置堆疊的所述微電子裝置和所述襯底的相互對準的導電元件。
11.根據權利要求10所述的方法,其中群接合包括插入接合、共晶接合或低溫焊料接合中的一者。
12.根據權利要求7所述的方法,其中粘著包括將熱量和垂直力同時施加所述至少一個微電子裝置堆疊。
13.根據權利要求2所述的方法,其進一步包括在大體上同時至少部分地包封所述至少一個微電子裝置堆疊且在所述模制設備內接合所述至少一個微電子裝置堆疊的相互對準的導電元件之前,將擋塊放置在所述模制設備的上部和下部模具節段之間,以限制所述上部模具節段與所述下部模具節段之間的相互垂直行進。
14.根據權利要求1所述的方法,其中在使所述襯底和至少一個微電子裝置堆疊經受在約130℃到約185℃的范圍內的溫度的同時實現所述包封和接合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





