[發(fā)明專利]一種AlGaN單極載流子日盲紫外探測器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010854740.7
• 申請日: 2020-08-24
• 公開（公告）號: CN112038448B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黎大兵;蔣科;孫曉娟;陳洋;賈玉萍;臧行
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/105;H01L31/0304
• 代理公司: 深圳市科進知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44316
• 代理人: 曹衛(wèi)良

1.一種AlGaN單極載流子日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供一氮化物材料生長的襯底；

在所述襯底上生長AlN模板；

在所述AlN模板上生長n-Al_xGa_1-xN，x＝0.45；

在所述n-Al_xGa_1-xN上生長i-Al_yGa_1-yN，yx；

在所述i-Al_yGa_1-yN上生長p-Al_zGa_1-zN，0.45＝zy；

在所述p-Al_zGa_1-zN上生長p-GaN；

在上述步驟完成后形成的晶圓上刻蝕探測器光敏臺面；

在所述光敏臺面刻蝕環(huán)形溝道，并刻蝕至i-Al_yGa_1-yN層；

在具有所述環(huán)形溝道的光敏臺面上刻蝕環(huán)形溝道包圍的p-GaN層，并刻蝕至p-Al_zGa_1-zN層；

在經(jīng)過刻蝕的光敏臺面周圍鍍n電極，并快速熱退火；

在將周圍鍍有n電極的光敏臺面的環(huán)形溝道外側(cè)p-GaN層上鍍p電極，并快速熱退火。

2.如權(quán)利要求1所述的AlGaN單極載流子日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，在提供一氮化物材料生長的襯底的步驟中，所述氮化物材料生長襯底選擇藍寶石或AlN。

3.如權(quán)利要求1所述的AlGaN單極載流子日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，在所述AlN模板上生長n-Al_xGa_1-xN，x＝0.45的步驟中，所述n-Al_xGa_1-xN的厚度為300nm，Al組分為0.45，摻雜濃度5e18cm^-3。

4.如權(quán)利要求1所述的AlGaN單極載流子日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，在所述n-Al_xGa_1-xN上生長i-Al_yGa_1-yN，yx的步驟中，所述i-Al_yGa_1-yN的厚度為200～300nm，Al組分為0.6，非故意摻雜。

5.如權(quán)利要求1所述的AlGaN單極載流子日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，在所述i-Al_yGa_1-yN上生長p-Al_zGa_1-zN的步驟中，所述p-Al_zGa_1-zN的厚度為10～50nm，Al組分為0.45，摻雜濃度為2e18cm^-3。

6.如權(quán)利要求1所述的AlGaN單極載流子日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，在所述p-Al_zGa_1-zN上生長p-GaN的步驟中，所述p-GaN的厚度為50～150nm，摻雜濃度5e18cm^-3。

7.如權(quán)利要求1所述的AlGaN單極載流子日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，在經(jīng)過刻蝕的光敏臺面周圍鍍n電極，并快速熱退火的步驟中，所述n電極選擇Ti/Al/Ni/Au。

8.如權(quán)利要求1所述的AlGaN單極載流子日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，在將周圍鍍有n電極的光敏臺面的環(huán)形溝道外側(cè)p-GaN層上鍍p電極，并快速熱退火的步驟中，所述p電極選擇Ni/Au。

9.一種AlGaN單極載流子日盲紫外探測器，其特征在于，由權(quán)利要求1至8任一項所述的制備方法制備得到。