[發明專利]發光元件及顯示裝置

有效

• 申請號: 202010848763.7
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN112420890B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 郭義德;吳明憲;林奕辰;蔡曜駿;方彥翔
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/02;H01L33/38;G09F9/33
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種發光元件及顯示裝置，其中該發光元件包括外延層、支撐層、絕緣層、第一電極接墊以及第二電極接墊。外延層包括第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層，發光層配置于第一型摻雜半導體層的部分區域上且位于第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。支撐層覆蓋第二型摻雜半導體層，絕緣層覆蓋外延層與支撐層。第一電極接墊與第二電極接墊配置于絕緣層上，第一電極接墊與第二電極接墊分別與第一型摻雜半導體層以及第二型摻雜半導體層電連接，且支撐層自第一電極接墊的下方延伸至第二電極接墊的下方。

技術領域

本發明涉及一種電子元件，且特別是涉及一種發光元件及顯示裝置。

背景技術

隨著發光二極管芯片制作工藝技術的日益進步，已發展出利用發光二極管芯片作為子像素的發光二極管顯示技術。在制備發光二極管顯示裝置的制作工藝中，需要將陣列分布的發光二極管芯片焊接至驅動背板上。目前，以微米等級的發光二極管芯片作為顯示子像素已逐漸成為發光二極管顯示裝置中的主流。由于微米等級的發光二極管芯片的管芯尺寸與厚度很小，因此微米等級的發光二極管芯片在批量轉移至驅動背板的過程中常會面臨到受力而破裂的問題，進而影響制造良率。

承上述，如何改善微米等級的發光二極管芯片與驅動背板之間的接合良率，實為目前研發人員亟待解決的問題。

發明內容

本發明提供一種發光元件以及顯示裝置，其具有較佳的結構強度。

依據本發明的實施例，提出一種發光元件，其包括外延層、支撐層、絕緣層、第一電極接墊以及第二電極接墊。外延層包括第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層，發光層配置于第一型摻雜半導體層的部分區域上且位于第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。支撐層覆蓋第二型摻雜半導體層，絕緣層覆蓋外延層與支撐層。第一電極接墊與第二電極接墊配置于絕緣層上，第一電極接墊與第二電極接墊分別與第一型摻雜半導體層以及第二型摻雜半導體層電連接，且支撐層自第一電極接墊的下方延伸至第二電極接墊的下方。

依據本發明的實施例，提出一種發光元件，其包括外延層、支撐層、絕緣層、第一電極接墊以及第二電極接墊。外延層包括第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層，發光層配置于第一型摻雜半導體層的第一表面的部分區域上且位于第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。支撐層覆蓋第一型摻雜半導體層的第二表面，且第二表面與第一表面相對。絕緣層覆蓋外延層。第一電極接墊與第二電極接墊配置于絕緣層上，第一電極接墊與第二電極接墊分別與第一型摻雜半導體層以及第二型摻雜半導體層電連接，且支撐層自第一電極接墊的下方延伸至第二電極接墊的下方。

依據本發明的實施例，提出一種發光元件，其包括外延層、絕緣層、第一電極接墊以及第二電極接墊。外延層包括第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層。發光層配置于第一型摻雜半導體層的部分區域上且位于第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。絕緣層覆蓋外延層。第一電極接墊與第二電極接墊配置于絕緣層上。第一電極接墊與第二電極接墊分別與第一型摻雜半導體層以及第二型摻雜半導體層電性連接。外延層的劈裂面與第一電極接墊的側壁或第二電極接墊的側壁之間具有夾角。

依據本發明的實施例，提出一種顯示裝置，其包括驅動背板以及多個顯示像素，顯示像素陣列排列于驅動背板上并且與驅動背板電連接，其中顯示像素中的各個顯示像素分別包括多個子像素，且子像素中的部分子像素包括前述的發光元件。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附的附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1至圖8是本發明第一實施例的發光元件的制造流程剖面示意圖；

圖9是圖8中的發光元件的上視示意圖；

圖10是本發明第二實施例的發光元件的剖面示意圖；

圖11是本發明第三實施例的發光元件的剖面示意圖；