[發明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202010847335.2 | 申請日: | 2020-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN112420647A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 中西一浩;山北茂洋;野島和弘;門多健一 | 申請(專利權)人: | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L25/18;H01L21/98;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 劉英華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
實施方式提供能夠提高由焊盤等引起的成品率的半導體裝置及其制造方法。根據一個實施方式,半導體裝置具備:基板;下部焊盤,設置于所述基板的上方;以及上部焊盤,設置于所述下部焊盤上。所述下部焊盤包括第一焊盤和設置于所述第一焊盤上的多個第一連接部,所述上部焊盤設置于所述多個第一連接部上,或者,所述上部焊盤包括第二焊盤和設置于所述第二焊盤下的多個第二連接部,所述下部焊盤設置于所述多個第二連接部下。
【相關申請】
本申請享受以日本專利申請2019-153110號(申請日:2019年8月23日)作為基礎申請的優先權。本申請通過參考該基礎申請而包括基礎的全部內容。
技術領域
本發明的實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。
背景技術
在貼合多個晶片的金屬焊盤來制造半導體裝置的情況下,期望抑制由金屬焊盤等引起的成品率的降低。
發明內容
實施方式提供能夠提高由焊盤等引起的成品率的半導體裝置及其制造方法。
根據一個實施方式,半導體裝置具備:基板;下部焊盤,設置于所述基板的上方;以及上部焊盤,設置于所述下部焊盤上。所述下部焊盤包括第一焊盤和設置于所述第一焊盤上的多個第一連接部,所述上部焊盤設置于所述多個第一連接部上,或者,所述上部焊盤包括第二焊盤和設置于所述第二焊盤下的多個第二連接部,所述下部焊盤設置于所述多個第二連接部下。
附圖說明
圖1是表示第一實施方式的半導體裝置的構造的剖視圖。
圖2是表示第一實施方式的柱狀部的構造的剖視圖。
圖3是表示第一實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖。
圖4的(a)~(c)是表示第一實施方式的金屬焊盤等的構造的剖視圖及立體圖。
圖5的(a)~(c)是表示第一實施方式的金屬焊盤等的構造的剖視圖。
圖6的(a)~(c)是表示第一實施方式的比較例的金屬焊盤等的構造的剖視圖及立體圖。
圖7的(a)~(c)是用于說明第一實施方式的比較例的金屬焊盤等的問題的剖視圖。
圖8的(a)~(c)是用于說明第一實施方式的金屬焊盤等的優點的剖視圖。
圖9的(a)~圖11的(c)是表示第一實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖及立體圖。
圖12的(a)、(b)是表示第一實施方式的第一變形例的半導體裝置的制造方法的剖視圖。
圖13的(a)、(b)是表示第一實施方式的第二及第三變形例的金屬焊盤等的構造的剖視圖。
圖14的(a)~圖16的(b)是表示第一實施方式的第四變形例的半導體裝置的制造方法的剖視圖及立體圖。
圖17的(a)~(c)是表示第二實施方式的金屬焊盤等的構造的剖視圖及立體圖。
圖18的(a)、(b)是用于對第二實施方式及其比較例的金屬焊盤等的構造進行比較的剖視圖。
圖19的(a)~(c)是表示第二實施方式的金屬焊盤等的構造的剖視圖。
圖20的(a)~圖21的(c)是表示第二實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖及立體圖。
圖22的(a)、(b)是表示第二實施方式的第一及第二變形例的金屬焊盤等的構造的剖視圖。
附圖標記說明
1:陣列芯片,2:電路芯片,
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