[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010846262.5
• 申請日: 2020-08-21
• 公開（公告）號: CN113363228A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 井上大輔
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

實施方式提供能夠提高半導體芯片與金屬連接件的接合部的可靠性的半導體裝置。實施方式的半導體裝置具有金屬連接件。該金屬連接件具有上表面、與電極對置的第一下表面、第一端面、第二端面、以及將第一端面與第二端面相連的第二下表面。在與半導體芯片的第一面或者第二面平行的第一方向上，電極的端面位于第一端面與第二端面之間。第二下表面與電極之間的距離比第一下表面與電極之間的距離大。接合部件具有設于第一下表面與電極之間的第一部分、以及設于第二下表面與電極之間且覆蓋第二端面且比第一部分厚的第二部分。

相關申請

本申請享受以日本專利申請2020－38792號(申請日：2020年3月6日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的所有內容。

技術領域

實施方式涉及半導體裝置。

背景技術

近年來，在功率半導體裝置中，為了低電阻化，作為半導體芯片與引線框的連接構造，采用了使用板狀的金屬連接件而并非線的構造。

由于半導體裝置的可靠性評價(回流評價、溫度循環試驗)的熱應力，一般在線膨脹系數不同的材質的界面產生應力。在上述功率半導體裝置中，例如對將硅的半導體芯片和銅的連接件接合的接合部件(例如焊料)施加應力。特別是，已知應力集中于連接件的端面。通過將覆蓋連接件的端面的接合部件的厚度加厚，能夠吸收、緩和應力。但是，擔心半導體芯片與連接件之間的接合部件的厚度也變厚，導致接合部件的熱電阻以及電阻的上升，不能滿足半導體裝置的希望的特性值。

發明內容

實施方式提供能夠提高半導體芯片與金屬連接件的接合部的可靠性的半導體裝置。

根據實施方式，半導體裝置具備：引線框；板狀的金屬連接件；半導體芯片，設于所述引線框與所述金屬連接件之間，具有與所述引線框對置的第一面和與所述金屬連接件對置的第二面；設于所述第二面的電極；以及接合部件，設于所述電極與所述金屬連接件之間，接合于所述電極以及所述金屬連接件。所述金屬連接件具有上表面、與所述電極對置的第一下表面、第一端面、第二端面、以及將所述第一端面與所述第二端面相連的第二下表面。在與所述半導體芯片的所述第一面或者所述第二面平行的第一方向上，所述電極的端面位于所述第一端面與所述第二端面之間。所述第二下表面與所述電極之間的距離比所述第一下表面與所述電極之間的距離大。所述接合部件具有第一部分和第二部分，該第一部分設于所述第一下表面與所述電極之間，該第二部分設于所述第二下表面與所述電極之間，覆蓋所述第二端面，且比所述第一部分厚。

附圖說明

圖1是實施方式的半導體裝置的示意俯視圖。

圖2是圖1中的A－A’線剖面圖。

圖3的(a)、(b)是實施方式的半導體芯片的示意俯視圖。

圖4是實施方式的半導體裝置中的半導體芯片、第二電極以及金屬連接件的示意俯視圖。

圖5是圖4中的B－B’線剖面圖。

圖6是比較例的半導體裝置的示意剖面圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對實施方式進行說明。另外，在各附圖中，對相同的要素標注相同的附圖標記。

圖1是實施方式的半導體裝置1的示意俯視圖。

圖2是圖1中的A－A’線剖面圖。圖2所示的樹脂部件80僅圖示了圖1中外形線。

半導體裝置1具有半導體芯片20、第一引線框11、第二引線框12、第三引線框13、第一金屬連接件50、第二金屬連接件70、以及樹脂部件80。

圖3的(a)是半導體芯片20的第一面21的示意俯視圖，圖3的(b)是半導體芯片20的與第一面21相反的一側的第二面22的示意俯視圖。