[發(fā)明專利]光伏裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010836359.8 | 申請日: | 2016-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN111978211B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | B·A·卡米諾;L·M·佩雷斯 | 申請(專利權(quán))人: | 牛津光伏有限公司 |
| 主分類號: | C07C257/12 | 分類號: | C07C257/12;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種通式為(I)的鈣鈦礦材料:
A1-xA'xBX3-y X'y (I)
其中A是甲脒陽離子HC(NH2)2+,A'是銫陽離子Cs+,B是至少一個二價無機陽離子,X是碘離子并且X’是溴離子;并且其中0 x ≤ 0.4并且0 y ≤ 3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦材料,其中所述鈣鈦礦材料的帶隙是1.60 eV至2.30eV。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鈣鈦礦材料,其中B是選自Pb2+和Sn2+的至少一種無機陽離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鈣鈦礦材料,其中所述鈣鈦礦材料具有下式:
FA1-xCsxPbI3-yBry (II)
其中FA是甲脒陽離子HC(NH2)2+,Cs是銫陽離子Cs+,Pb是鉛(II)陽離子Pb2+,I是碘離子I-,并且Br是溴離子Br-。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦材料,其中0.05 ≤ x ≤ 0.25。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦材料,其中0 y 1.5。
7.一種光電裝置,包括根據(jù)前述任一項權(quán)利要求所述的鈣鈦礦材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置,其中所述裝置是發(fā)光二極管。
9.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的鈣鈦礦材料的方法,其中所述鈣鈦礦材料是固體層的形式;其中所述方法包括化學(xué)溶液沉積并且包括:
(i)形成包含溶解在溶劑體系中的所述鈣鈦礦材料的前體的前體溶液;
(ii)設(shè)置/沉積一層所述前體溶液;以及
(iii)除去所述溶劑體系以產(chǎn)生所述鈣鈦礦材料的固體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中所述鈣鈦礦材料的所述前體包括:
包含甲脒陽離子HC(NH2)2+(A)和第一鹵化物陰離子的第一前體化合物;
包含銫陽離子Cs+(A’)和所述第一鹵化物陰離子或第二鹵化物陰離子的第二前體化合物;以及
包含二價無機陽離子B和所述第二鹵化物陰離子的第三前體化合物;
其中所述第一鹵化物陰離子是碘離子X和溴離子X’中的一種,而所述第二鹵化物陰離子是碘離子X和溴離子X’中的另一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中所述鈣鈦礦材料的所述前體還包括包含所述二價無機陽離子B和所述第一鹵化物陰離子的第四前體化合物。
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