[發明專利]功率放大器散熱結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010835902.2
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN111968951A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 劉云婷;蘇梅英;李君;曹立強
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/427;H01L21/48
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種功率放大器散熱結構的制備方法，其特征在于，包括：

在載板上形成重新布線層和介質層；

在所述重新布線層上形成導電柱和導電層；

將均熱板附連至芯片上；

將所述芯片附連至所述導電層；

依次形成塑封層與散熱層，所述散熱層附連至所述導電柱和所述均熱板。

2.如權利要求1所述的功率放大器散熱結構的制備方法，其特征在于，均熱板由以下步驟進行制備：

在兩個蓋板上分別加工凹槽，兩個所述凹槽的側邊具有位置相對應的進液口，兩個所述凹槽的底面具有位置相對應的支撐結構；

在兩個所述凹槽中的至少一個的底面形成多孔介質層；

將兩個蓋板扣合后，形成所述均熱板的外框架及腔體；

在所述腔體內注入冷卻工質；

將所述腔體進行抽真空后密封。

3.如權利要求1所述的功率放大器散熱結構的制備方法，其特征在于，在載板上形成重新布線層和介質層包括：

在載板上形成第一層介質層，所述第一層介質層通過旋涂工藝、噴涂工藝或壓合工藝形成；

在第一層介質層上進行光刻形成焊盤開口，形成電鍍種子層，在電鍍種子層上形成光刻膠掩膜，電鍍，形成第一層重新布線層；

重復上述步驟完成多層介質層及多層重新布線層的制備。

4.如權利要求1所述的功率放大器散熱結構的制備方法，其特征在于，在所述重新布線層上形成導電柱和導電層包括：

在最后一層介質層上形成電鍍種子層，在電鍍種子層上形成光刻膠掩膜，形成導電柱下金屬層，通過電鍍形成導電柱，所述導電柱為所述芯片提供接地通路；

在最后一層介質層上電鍍種子層，在電鍍種子層上形成光刻膠掩膜，進行光刻，形成焊盤開口后電鍍，形成所述導電層。

5.如權利要求1所述的功率放大器散熱結構的制備方法，其特征在于，將所述均熱板附連至所述芯片上包括：

采用第一焊料將所述均熱板的下表面與所述芯片上方金屬層通過回流焊工藝或釬焊工藝進行焊接；

將所述芯片附連至所述導電層包括：

采用第二焊料將芯片下方凸點與所述導電層的凸點通過電鍍工藝、植球工藝或回流焊工藝進行附連；

所述第一焊料為鉛錫銀合金或錫銀銅合金；

所述第二焊料的熔點小于所述第一焊料的熔點。

6.如權利要求1所述的功率放大器散熱結構的制備方法，其特征在于，形成塑封層包括：

使用模具進行模壓工藝或固化工藝形成塑封層；

所述塑封層覆蓋所述重新布線層、所述介質層、所述導電柱、所述導電層、所述芯片和所述均熱板；

去除部分所述塑封層以暴露出所述導電柱和所述均熱板；

通過等離子體刻蝕工藝去除所述導電柱及所述均熱板上的塑封層材料。

7.如權利要求1所述的功率放大器散熱結構的制備方法，其特征在于，形成所述散熱層包括：

將所述均熱板的上表面與散熱層通過電鍍工藝、釬焊工藝、真空擴散焊工藝或回流焊工藝進行焊接；

所述散熱層的材料為銅；

通過激光工藝在所述散熱層的內部加工微流道。

8.如權利要求1所述的功率放大器散熱結構的制備方法，其特征在于，還包括：

通過激光或UV照射將所述載板與所述重新布線層及所述介質層分離，通過電鍍工藝、植球工藝或回流焊工藝在所述重新布線層上植球。

9.一種功率放大器散熱結構，其特征在于，包括：

重新布線層，所述重布線層包括導電線路及導電線路之間的介質層；

導電柱，佇立于所述重新布線層上；

導電層，附連于所述重新布線層；

芯片，附連于所述導電層上，所述導電柱位于所述芯片的四周；

均熱板，附連于所述芯片上；

塑封層，包覆所述均熱板的側面、所述導電柱的側面；

散熱層，覆蓋所述塑封層的頂面、所述均熱板的頂面、以及所述導電柱的頂面，附連至所述導電柱和所述均熱板。

10.如權利要求9所述的功率放大器散熱結構，其特征在于，所述均熱板包括分別帶有凹槽的上蓋板和下蓋板，所述上蓋板和下蓋板扣合密封，形成所述均熱板的外框架，兩個所述凹槽形成密封腔體，兩個所述凹槽的側邊具有位置相對應的進液口，兩個所述凹槽的底面具有位置相對應的支撐結構，在兩個所述凹槽中的至少一個的底面形成多孔介質層，在所述腔體內具有冷卻工質。