[發(fā)明專利]一種用于濾波器與諧振器的金屬化方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010830793.5
• 申請(qǐng)日: 2020-08-18
• 公開（公告）號(hào): CN111864333B
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬才兵;麥艷紅;楊繼聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東國(guó)華新材料科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01P11/00
• 分類號(hào): H01P11/00;H01P1/20;H01P7/10
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 黃忠

本申請(qǐng)公開了一種用于濾波器與諧振器的金屬化方法，其在陶瓷表面鍍一層0.3～3μm厚度的銀層，再在銀層鍍6～50μm厚度的銅層，共同構(gòu)成導(dǎo)電層，極大的減少了銀的使用，降低了金屬化成本，金屬化方法步驟簡(jiǎn)單，工序較少，使得生產(chǎn)效率提高；同時(shí)，通過(guò)旋轉(zhuǎn)置物盤帶動(dòng)陶瓷運(yùn)動(dòng)，從而讓陶瓷接觸導(dǎo)電銀漿更加充分且均勻，提高銀層的均勻性，另外，本實(shí)施例通過(guò)限定銀層與銅層的厚度，使得得到的導(dǎo)電層的電導(dǎo)率大于4.0*10⁷S/m，其結(jié)合力大于20N/mm²，其使得金屬化后的陶瓷具有優(yōu)良的介電性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及通信元件金屬化工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于濾波器與諧振器的金屬化方法。

背景技術(shù)

諧振器與濾波器均作為重要的通信元件，特別是陶瓷作為介電材料的諧振器與濾波器憑借著優(yōu)異的特性已經(jīng)成為主流產(chǎn)品。在制備陶瓷材料的諧振器與濾波器均需要在陶瓷表面進(jìn)行金屬化，而目前的金屬化方法一般采用導(dǎo)電銀漿涂覆后高溫?zé)Y(jié)，從而在陶瓷表面形成導(dǎo)電銀層，但目前這種方法導(dǎo)致導(dǎo)電銀層均勻性較差，同時(shí)，銀作為貴重金屬，使得這種金屬化方法成本非常高，而且，工藝步驟比較繁瑣，使得金屬化工藝的生產(chǎn)效率較低。另外，隨著通信行業(yè)的不斷發(fā)展，其對(duì)諧振器與濾波器的性能要求也不斷提高，而金屬化過(guò)程則對(duì)金屬化后的諧振器與濾波器的性能有著較密切的影響。因此，亟需一種能夠提高諧振器與濾波器性能且成本較低、銀層均勻性較好及生產(chǎn)效率較高的金屬化方法。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于濾波器與諧振器的金屬化方法，用于現(xiàn)有的金屬化方法金屬化成本高、銀層均勻性較差、生產(chǎn)效率低且金屬化后的濾波器與諧振器的性能較差的技術(shù)問(wèn)題。

有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于濾波器與諧振器的金屬化方法，所述濾波器與所述諧振器的介電材料均采用陶瓷，對(duì)所述陶瓷進(jìn)行金屬化包括以下步驟：

步驟一：將預(yù)置于可旋轉(zhuǎn)的置物盤內(nèi)的所述陶瓷浸沒在容器內(nèi)預(yù)先裝入的導(dǎo)電銀漿中，然后，將裝有所述陶瓷的所述容器放于真空環(huán)境下，旋轉(zhuǎn)所述置物盤，待旋轉(zhuǎn)持續(xù)預(yù)定時(shí)間后，取出所述陶瓷，在溫度為135℃～165℃的環(huán)境下進(jìn)行烘干，烘干后進(jìn)行燒結(jié)，得到鍍有銀層的陶瓷，所述銀層的厚度為0.3～3μm；

步驟二：在所述銀層表面采用厚膜工藝鍍銅并形成厚度均勻的銅層，所述銅層的厚度為6～50μm，將鍍好所述銅層后的陶瓷放于溫度為135℃～165℃的還原氣氛中進(jìn)行烘干；

步驟三：通過(guò)所述步驟二烘干后的陶瓷放于燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)完成后將所述陶瓷進(jìn)行降溫至室溫。

優(yōu)選地，所述置物盤為網(wǎng)狀置物盤。

優(yōu)選地，所述容器外部設(shè)有電機(jī)，所述電機(jī)的輸出軸與所述置物盤的底部固定連接，用于驅(qū)動(dòng)所述置物盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

優(yōu)選地，所述步驟一中將裝有所述陶瓷的所述容器放于真空環(huán)境下具體包括：將裝有所述陶瓷的所述容器放于真空室內(nèi)，所述真空室的氣壓為0.3atm。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿的粘度小于0.1Pa·S。

優(yōu)選地，所述步驟一中旋轉(zhuǎn)所述置物盤持續(xù)預(yù)定時(shí)間為2～3分鐘，旋轉(zhuǎn)所述置物盤的轉(zhuǎn)速為5～10圈/分鐘。

優(yōu)選地，所述步驟一中燒結(jié)的最高溫度為850～910℃，相應(yīng)的燒結(jié)持續(xù)時(shí)間為10～15分鐘。

優(yōu)選地，所述步驟二中的厚膜工藝具體采用噴涂、絲印或浸涂中的一種或多種。

優(yōu)選地，所述步驟三中進(jìn)行燒結(jié)的具體步驟包括：通過(guò)所述步驟二烘干后的陶瓷放于燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，當(dāng)燒結(jié)的溫度為450℃以下時(shí)，向所述燒結(jié)爐通入氧化氣氛氣體；當(dāng)燒結(jié)的溫度為650℃以上時(shí)，向所述燒結(jié)爐通入還原氣氛氣體；燒結(jié)的最高溫度為920～960℃，當(dāng)燒結(jié)的溫度達(dá)到920～960℃時(shí)，相應(yīng)的燒結(jié)時(shí)間為10～30分鐘。