[發明專利]通過導電塊上的硅化物在基底上制造存儲器單元、高電壓設備和邏輯設備的方法

在審

• 申請號: 202010826250.6
• 申請日: 2020-08-17
• 公開（公告）號: CN114078864A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 王春明;孫士禎;X·劉;邢精成;楊榮華;N·多;宋國祥
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11546;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/788
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳斌

1.一種形成半導體設備的方法，包括：

提供半導體材料的基底，所述半導體材料的基底包括第一區域、第二區域和第三區域；

使所述第一區域中的所述基底的上表面和所述第二區域中的所述基底的上表面相對于所述第三區域中的所述基底的上表面凹入；

在所述第一區域中形成一對堆疊結構，其中所述堆疊結構中的每個堆疊結構包括設置在所述第一區域中的所述基底的所述上表面上方并且與所述上表面絕緣的導電材料的浮柵，以及設置在所述浮柵上方并且與所述浮柵絕緣的導電材料的第一非浮柵；

在所述第一區域中的所述一對堆疊結構之間的所述基底中形成第一源極區；

形成設置在所述第一區域中的所述第一源極區上方并且與所述第一源極區絕緣的第二非浮柵；

形成設置在所述第三區域中的所述基底的所述上表面上方并且與所述上表面絕緣的偽材料塊；

形成導電材料的第三非浮柵，所述第三非浮柵設置在所述第一區域中的所述基底的所述上表面上方并且與所述上表面絕緣，并且各自橫向鄰近所述堆疊結構中的一個堆疊結構并且與所述堆疊結構絕緣；

形成設置在所述第二區域中的所述基底的所述上表面上方并且與所述上表面絕緣的導電材料的第四非浮柵；

在所述第一區域中的所述基底中形成第一漏極區，每個第一漏極區鄰近所述第三非浮柵中的一個第三非浮柵；

在所述第二區域中的所述基底中形成第二源極區，每個第二源極區鄰近所述第四非浮柵中的一個第四非浮柵；

在所述第二區域中的所述基底中形成第二漏極區，每個第二漏極區鄰近所述第四非浮柵中的一個第四非浮柵；

在所述第三區域中的所述基底中形成第三源極區，所述第三源極區鄰近所述偽材料塊；

在所述第三區域中的所述基底中形成第三漏極區，所述第三漏極區鄰近所述偽材料塊；

在所述第二區域中的所述第四非浮柵中的一個第四非浮柵的至少一部分上方形成第一阻擋層；

在所述第一漏極區、所述第二漏極區和所述第三漏極區上，在所述第二源極區和所述第三源極區上，以及在不處于所述第一阻擋層下面的所述第四非浮柵的頂表面上形成硅化物；以及

用金屬材料塊替換所述偽材料塊。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二非浮柵、所述第三非浮柵和所述第四非浮柵的所述形成包括：

形成導電層，所述導電層設置在所述第一區域和所述第二區域中的所述上表面上方并且與所述上表面絕緣；

在所述第一區域和所述第二區域中的所述導電層上方形成保護絕緣層；

蝕刻在所述第一區域和所述第二區域中的所述保護絕緣層的部分和所述導電層的部分，以從所述導電層的第一部分形成所述第三非浮柵并且從所述導電層的第三部分形成所述第四非浮柵，其中所述一對堆疊結構之間的所述導電層的第二部分構成所述第二非浮柵。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

執行一次或多次蝕刻以去除所述第三非浮柵和所述第四非浮柵上方的所述保護絕緣層的部分，并且去除所述第二區域中的所述第一阻擋層的至少一部分。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述硅化物的所述形成還包括在所述第二非浮柵和所述第三非浮柵的頂表面上形成硅化物。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第一區域、所述第二區域和所述第三區域上方形成光刻膠；

從所述第一區域和所述第二區域去除所述光刻膠；

在所述光刻膠的所述去除之后并且在所述硅化物的所述形成之前，去除在所述第二非浮柵、所述第三非浮柵和所述第四非浮柵上方的所述保護絕緣層的部分。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅化物的所述形成還包括在所述第二非浮柵和所述第三非浮柵的頂表面上形成硅化物。