[發明專利]濾波器和通信基站

在審

• 申請號: 202010811151.0
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN111987394A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 謝振雄;吳亞暉
• 申請（專利權）人: 大富科技（安徽）股份有限公司
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P1/208
• 代理公司: 深圳市睿智專利事務所 44209
• 代理人: 郭文姬

本發明涉及一種濾波器和通信基站，包括表面金屬化的介質本體、至少兩個介質諧振腔、形成相對應的至少兩對介質諧振腔；一對介質諧振腔之間設有容性耦合結構，與該對介質諧振腔相鄰的另一對介質諧振腔之間設有感性耦合結構；相鄰兩對介質諧振腔的位于上層介質塊的兩個介質諧振腔之間形成感性耦合，位于下層介質塊的兩個介質諧振腔之間形成感性耦合，上下兩層介質塊上的相鄰兩對介質諧振腔之間形成四腔交叉耦合結構。本發明結構緊湊，其寄生諧波遠離基模，可以更靈活實現各種交叉耦合，帶外抑制性能更優。

技術領域

本發明涉及一種通信設備，特別是涉及濾波器耦合技術。

背景技術

隨著5G通信系統的建設，其設備對集成度要求越來越高，微波濾波器的小型化，輕量化是未來的應用趨勢，介質波導具有高Q值，溫漂小等優點，是一種很好的濾波器小型化解決方案。

現有的介質波導濾波器通常是單層結構，其實現容性交叉耦合結構采用頻變結構會在通帶外引入諧振峰，采用飛桿衍生結構加工會增加產品的零部件和工序，且現有的單層濾波器不易實現不對稱傳輸零點。此外，單層結構還具有結構不緊湊，形式單一等的缺點。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述缺陷，提出一種能簡單實現容性和感性耦合，其寄生諧波遠離基模，可以更靈活實現各種交叉耦合而且結構緊湊的濾波器和通信基站。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案為：

提供一種濾波器，包括表面金屬化的介質本體，所述介質本體包括固定在一起的上下兩層介質塊，該介質本體的上層介質塊和下層介質塊分別設有相對應的介質諧振腔，相對應的一對介質諧振腔之間設有容性耦合結構和/或感性耦合結構。

所述上層介質塊的介質諧振腔設置在上層介質塊的上表面，所述下層介質塊的介質諧振腔設置在下層介質塊的下表面；所述容性耦合結構包括設置在上層介質塊底面的第一凹槽和設置在下層介質塊頂面的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽連通形成容性耦合槽。

提供一種濾波器，包括表面金屬化的介質本體、設于介質本體上的輸入端口和輸出端口，所述介質本體包括固定在一起的上下兩層介質塊，上層介質塊和下層介質塊分別設有至少兩個介質諧振腔、形成相對應的至少兩對介質諧振腔；一對介質諧振腔之間設有容性耦合結構，與該對介質諧振腔相鄰的另一對介質諧振腔之間設有感性耦合結構；相鄰兩對介質諧振腔的位于上層介質塊的兩個介質諧振腔之間形成感性耦合，位于下層介質塊的兩個介質諧振腔之間形成感性耦合，上下兩層介質塊上的相鄰兩對介質諧振腔之間形成四腔交叉耦合結構。

所述上層介質塊的介質諧振腔設置在上層介質塊的上表面，所述下層介質塊的介質諧振腔設置在下層介質塊的下表面；所述容性耦合結構包括設置在上層介質塊底面的第一凹槽和設置在下層介質塊頂面的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽連通形成容性耦合槽。

所述上層介質塊與下層介質塊焊接。

所述感性耦合結構包括上層介質塊底面去除金屬層的部分和下層介質塊頂面去除金屬層的部分，所述上層介質塊底面去除金屬層的部分和下層介質塊頂面去除金屬層的部分貼合。

所述介質本體側壁分別設有用于微調一對介質諧振腔之間容性耦合量或感性耦合量的調試凹槽。

所述輸入端口包括相通的縱向盲孔和橫向盲孔，所述輸出端口包括相通的縱向盲孔和橫向盲孔。