[發明專利]一種微光大理石拋光瓷片的制造方法

有效

• 申請號: 202010799728.0
• 申請日: 2020-08-11
• 公開（公告）號: CN111943727B
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: 葉德林;韋前;李輝;黃詩程;謝石長;徐童
• 申請（專利權）人: 佛山市三水新明珠建陶工業有限公司;新明珠集團股份有限公司
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89;C04B35/00;C04B33/00;C03C8/20;C03C8/14;C03C8/04
• 代理公司: 廣州圣理華知識產權代理有限公司 44302
• 代理人: 董覺非;張凱

本發明提供了一種微光大理石拋光瓷片的制造方法，包括步驟素坯經淋底釉→淋柔光面釉→噴墨印花與噴印剝開墨水→淋亞光透明釉→燒成→拋光→成品。本發明利用剝開墨水剝開亞光透明釉形成的凹陷大理石紋理，因釉面其本身是亞光的，在拋光后，拋面光澤強，凹陷大理石紋保留了原有板面亞光效果，拋面與凹陷大理石紋形成較強的光澤差，對比之下凹陷大理石紋呈微光狀。本發明相比原有的在有光透明釉上噴印下陷墨水形成的大理石紋效果，更接近于天然大理石細裂紋效果，大理石紋理做得更加細膩；合理調配柔光面釉與亞光透明釉的燒成溫度、光澤度，防止了凹陷大理石紋理藏蠟而導致的吸污問題。

技術領域

本發明屬于陶瓷建筑裝飾材料領域，具體涉及一種微光大理石拋光瓷片的制造方法。

背景技術

瓷片是瓷磚中的一種陶質磚，有內墻磚、釉面磚等多種叫法。瓷片屬于陶質磚，吸水率在10％～20％間，目前市面上吸水率普遍在16％左右，主要使用場所是室內。

瓷磚都追求天然大理石紋理與效果，天然大理石經雨水的侵蝕其巖層的結合部會形成過渡紋或裂紋。在拋光過程中，過渡紋略有凹陷沒拋到位或本身存在裂紋，在凹陷處或裂紋處與平面位就存在光澤差，形成一種自然的凹線紋。大理石瓷磚效果仿的就是大理石的凹線效果，其與圖案紋理自然融合，手摸瓷磚表面光滑中又有阻滯感。

專利號CN106336247A公開了一種具凹線條的拋光瓷片的制造方法，其采用噴墨印花與噴印下陷墨水各采用一臺噴墨機，其工藝流程是素坯經淋底釉→淋面釉→噴墨印花→淋透明釉→噴印下陷墨水→燒成→拋光→成品。其瓷片表面的大理石紋理是淋透明釉后噴印下陷墨水而產生的，此方法可以生產大理石紋理，但也存在缺陷。一方面一臺噴墨機專用于打印下陷墨水，等于多增加一臺噴墨機的成本，而且這臺噴墨機沒有最大化利用，且兩臺噴墨機共線生產存在花紋對位問題；另一方面利用下陷墨水做的大理石紋是基于有光面釉有光透明釉制作而成，其大理石紋與平面部位的光澤差不夠大，下陷墨水靠腐蝕釉而成下陷，灰度細沒腐蝕效果，灰度寬易擴開，所以形成的大理石紋不夠精細。

發明內容

針對現有大理石紋拋光瓷片制造方法存在的不足，本發明的目的在于提供一種微光大理石拋光瓷片的制造方法，包括步驟素坯經淋底釉→淋柔光面釉→噴墨印花與噴印剝開墨水→淋亞光透明釉→燒成→拋光→成品，工藝簡單、容易控制，大理石紋理更加細膩。

為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：

一種微光大理石拋光瓷片的制造方法，包括如下步驟：

S1.素坯經淋底釉；

S2.施柔光面釉；

所述柔光面釉原料按重量百分比計為：熔塊71～90％、硅酸鋯2～15％、煅燒高嶺土0～5％、氣刀土4～8％、甲基纖維素0.1～0.4％、三聚磷酸鈉0.2～0.6％；所述熔塊原料按重要百分比計如下：方解石10～14％、碳酸鋇12～18％、鉀長石32～40％、氧化鋅4.5～7％、高嶺土12～17％、硼酸鈣4～7％、純堿1～3％、石英砂9～11％；

S3.噴墨印花與噴印剝開墨水，噴墨印花與噴印剝開墨水采用一臺噴墨機完成；

S4.施亞光透明釉；

所述亞光透明釉原料按重量百分比計為：熔塊80～93％、煅燒氧化鋅3～11％、氣刀土4～8％、甲基纖維素0.1～0.4％、三聚磷酸鈉0.2～0.6％；所述熔塊原料按重要百分比計如下：方解石13～17％、碳酸鋇10～14％、碳酸鍶1～3％、鉀長石20～26％、高嶺土23～27％、純堿1.5～4％、石英砂15～19％、白云石2～5％；

S5.燒成，燒成溫度1050～1200℃、燒成周期40～60分鐘；

S6.經拋光、磨邊得到微光大理石拋光瓷片。