[發明專利]顯示裝置及制造該顯示裝置的方法

在審

• 申請號: 202010795033.5
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN112397551A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 禹榮杰;鄭镕彬;裵哲敏;韓智慧;郭銀珍
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/00;H01L21/683
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張曉;劉燦強

1.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在載體基底上設置無機層；

在所述無機層上設置第一柔性基底；

在所述第一柔性基底上設置包括金屬的第一屏蔽層；

在所述第一屏蔽層上設置第一阻擋層；以及

在所述第一阻擋層上設置薄膜晶體管層，

其中，所述無機層包括選自氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一種材料，并且

其中，所述無機層的厚度在從至的范圍內。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一屏蔽層的厚度在從至的范圍內。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述無機層防止在所述載體基底與所述第一柔性基底之間產生靜電引力。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，設置所述第一阻擋層的所述步驟包括使用等離子體增強化學氣相沉積形成所述第一阻擋層。

5.根據權利要求4所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在設置所述第一阻擋層的所述步驟之后且在所述第一阻擋層上設置所述薄膜晶體管層的所述步驟之前，在所述第一阻擋層的表面上設置第二柔性基底。

6.根據權利要求5所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在設置所述第二柔性基底的所述步驟之后且在設置所述薄膜晶體管層的所述步驟之前，在所述第二柔性基底的表面上設置第二屏蔽層。

7.根據權利要求6所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在所述第二柔性基底的所述表面上設置所述第二屏蔽層的所述步驟之后且在設置所述薄膜晶體管層的所述步驟之前，在所述第二屏蔽層的表面上設置第二阻擋層。

8.根據權利要求4所述的方法，其中，所述無機層與所述載體基底之間的第一結合力大于所述第一柔性基底與所述無機層之間的第二結合力。

9.根據權利要求8所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在設置所述薄膜晶體管層的所述步驟之后，將所述載體基底和所述無機層從所述第一柔性基底的表面剝離。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，將所述載體基底和所述無機層從所述第一柔性基底的所述表面剝離的所述步驟包括：使用機械分離方法將所述載體基底和所述無機層從所述第一柔性基底的所述表面剝離。

11.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在載體基底上設置偶極子去除層；

在所述偶極子去除層上設置柔性基底；

在所述柔性基底上設置阻擋層；以及

在所述阻擋層上設置薄膜晶體管層，

其中，所述偶極子去除層包括無機材料，并且

其中，所述偶極子去除層的厚度在從至的范圍內。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述無機材料包括選自氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一種材料。

13.根據權利要求11所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在設置所述薄膜晶體管層的所述步驟之后，將所述載體基底和所述偶極子去除層從所述柔性基底的表面剝離。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，將所述載體基底和所述偶極子去除層從所述柔性基底的所述表面剝離的所述步驟包括：朝向所述柔性基底的所述表面發射紫外激光，并且使用機械分離方法從所述柔性基底的所述表面去除所述載體基底和所述偶極子去除層。