[發明專利]半導體片材組件的制備方法及裝置

有效

• 申請號: 202010793095.2
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN111739827B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 王路闖;陶武松;郭志球;白楊;張雪明
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B23K26/364;B23K26/402
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發明實施例涉及一種半導體片材組件的制備方法及裝置，該半導體片材組件的制備方法包括對半導體片材進行定位，并確定待開槽的第一區域及所述第一區域內的缺陷位置，沿所述第一區域中所述缺陷位置對半導體片材進行切割開槽，對切割開槽后的半導體片材進行裂片。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術領域，特別涉及一種半導體片材組件的制備方法及裝置。

背景技術

目前半導體片材的切割主要是通過激光劃片及機械裂片、或者激光開槽以及冷熱結合在半導體片材內部形成瞬間的壓應力以及拉應力，從而將半導體片材切割成數個小半導體裂片。

然而現有技術中的方法僅僅考慮如何保證半導體裂片效率，而并未考慮半導體裂片切割后容易產生隱裂等問題。

發明內容

本發明實施方式的目的在于提供一種半導體片材組件的制備方法及裝置，旨在降低半導體片材切割后容易產生隱裂的問題。

為解決上述技術問題，本發明的實施方式提供了一種半導體片材組件的制備方法，依次包括：

S1：對半導體片材進行定位，并確定待開槽的第一區域及所述第一區域內的缺陷位置；

S2：沿所述第一區域中所述缺陷位置對半導體片材進行切割開槽；

S3：對切割開槽后的半導體片材進行裂片。

本發明實施方式相對于現有技術而言通過對半導體片材進行定位，并確定待開槽的第一區域及所述第一區域內的缺陷位置，沿所述第一區域中所述缺陷位置對半導體片材進行切割開槽，對切割開槽后的半導體片材進行裂片，如此，通過沿所述第一區域中缺陷位置裂片降低半導體裂片切割后產生隱裂的情況。

優選地，在該制備方法中，所述步驟S1具體包括：

對半導體片材進行定位，確定待開槽的第一區域；

獲取所述第一區域中多個位置的灰度值，將灰度值大于或等于50%的位置作為缺陷位置。

優選地，在該制備方法中，所述步驟S2包括沿所述第一區域中所述缺陷位置和邊緣點對半導體片材進行切割開槽，其中所述邊緣點為所述半導體片材的中間線與半導體片材邊緣的交點。

優選地，在該制備方法中，所述步驟S2具體包括：

沿所述第一區域中所述缺陷位置對半導體片材進行間斷性激光打點開槽。

優選地，在該制備方法中，所述步驟S3依次包括：

對切割開槽后的半導體片材進行加熱處理；

對加熱處理后的半導體片材冷卻并腐蝕。

優選地，在該制備方法中，所述對加熱處理后的半導體片材冷卻并腐蝕的步驟，包括：

對加熱處理后的半導體片材采用冷卻液進行冷卻并腐蝕，其中，所述冷卻液為含具有腐蝕性的酸性或者堿性物質的冷卻液。

優選地，在該制備方法中，在步驟S3之后，還包括如下步驟：

S4：將步驟S3中裂片形成的若干個半導體裂片的切割邊緣朝第一方向依次排列設置，相鄰的兩個所述半導體裂片采用互聯條連接。

優選地，在該制備方法中，在所述步驟S4中所述互聯條具有沿第一方向延伸的第一段和第二段、以及分別與所述第一段和所述第二段連接的中間段，所述第一段與其中一個所述半導體裂片的上表面金屬化電學連接，所述第二段與沿第一方向的下一個所述半導體裂片的下表面金屬化電學連接，形成半導體片材串。

優選地，在該制備方法中，在所述步驟S4之后還包括如下步驟：