[發明專利]半導體片材組件的制備方法及裝置

有效

• 申請號: 202010793095.2
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN111739827B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 王路闖;陶武松;郭志球;白楊;張雪明
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B23K26/364;B23K26/402
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導體片材組件的制備方法，其特征在于，依次包括：

步驟S1：對半導體片材進行定位，并確定待開槽的第一區域及所述第一區域內的缺陷位置；

步驟S2：沿所述第一區域中所述缺陷位置對半導體片材進行切割開槽；

步驟S3：對切割開槽后的半導體片材進行裂片，其中，所述步驟S3依次包括：

對切割開槽后的半導體片材進行加熱處理；

對加熱處理后的半導體片材采用冷卻液進行冷卻并腐蝕，其中，所述冷卻液為含具有腐蝕性的酸性或者堿性物質的冷卻液。

2.如權利要求1所述的半導體片材組件的制備方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括：

對半導體片材進行定位，確定待開槽的第一區域；

獲取所述第一區域中多個位置的灰度值，將灰度值大于或等于50%的位置作為缺陷位置。

3.如權利要求1所述的半導體片材組件的制備方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

沿所述第一區域中所述缺陷位置和邊緣點對半導體片材進行切割開槽，其中所述邊緣點為所述半導體片材的中間線與半導體片材邊緣的交點。

4.如權利要求1所述的半導體片材組件的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：

沿所述第一區域中所述缺陷位置對半導體片材進行間斷性激光打點開槽。

5.如權利要求1所述的半導體片材組件的制備方法，其特征在于，在步驟S3之后，還包括如下步驟：

S4：將步驟S3中裂片形成的若干個半導體裂片的切割邊緣朝第一方向依次排列設置，相鄰的兩個所述半導體裂片采用互聯條連接，其中，所述切割邊緣為半導體片材在切割開槽時的切割槽的內側壁。

6.如權利要求5所述的半導體片材組件的制備方法，其特征在于，在所述步驟S4中所述互聯條具有沿第一方向延伸的第一段和第二段、以及分別與所述第一段和所述第二段連接的中間段，所述第一段與其中一個所述半導體裂片的上表面金屬化電學連接，所述第二段與沿第一方向的下一個所述半導體裂片的下表面金屬化電學連接，形成半導體片材串。

7.如權利要求5所述的半導體片材組件的制備方法，其特征在于，在所述步驟S4之后還包括如下步驟：

S5：將玻璃面板、第一膠膜、所述半導體片材串、第二膠膜、以及背板依次堆疊設置形成堆疊結構，對所述堆疊結構進行層壓。

8.如權利要求7所述的半導體片材組件的制備方法，其特征在于，在所述步驟S5中，所述半導體片材串中所述切割邊緣朝向所述玻璃面板設置。

9.一種半導體片材組件的制備裝置，其特征在于，包括：

定位檢測結構，用于對半導體片材進行定位，并確定待開槽的第一區域及所述第一區域內的缺陷位置；

開槽結構，用于沿所述第一區域中所述缺陷位置對半導體片材進行切割開槽；

裂片結構，用于對切割開槽后的半導體片材進行裂片，其中，所述裂片結構包括：

加熱器，用于對切割開槽后的半導體片材進行加熱處理；

冷卻裝置，用于對加熱處理后的半導體片材冷卻并腐蝕，所述冷卻裝置含具有腐蝕性的酸性或者堿性物質的冷卻液。

10.如權利要求9所述的半導體片材組件的制備裝置，其特征在于，所述定位檢測結構包括：

定位結構，用于對半導體片材進行定位，確定待開槽的第一區域；

檢測結構，用于獲取所述第一區域中多個位置的灰度值，將灰度值大于或等于50%的位置作為缺陷位置。

11.如權利要求9所述的半導體片材組件的制備裝置，其特征在于，所述開槽結構還用于沿所述第一區域中所述缺陷位置和邊緣點對半導體片材進行切割開槽，其中所述邊緣點為所述半導體片材的中間線與所述半導體片材的邊緣的交點。