[發(fā)明專利]一種新型電致變色器件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010791053.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111880348B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖秀娣;劉楊彪;王濟(jì)熙;蔡雪松;盛貴章;徐剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院廣州能源研究所 |
| 主分類號(hào): | G02F1/153 | 分類號(hào): | G02F1/153;G02F1/1524;G02F1/1523;C23C14/35;C23C14/28;C23C14/24;C23C14/20;C23C14/08 |
| 代理公司: | 廣州科粵專利商標(biāo)代理有限公司 44001 | 代理人: | 方燕;莫瑤江 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 變色 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種新型電致變色器件,其特征在于,包括七層結(jié)構(gòu),依次為第一基底、第一導(dǎo)電層、電致變色層、電解質(zhì)層、離子儲(chǔ)存層、第二導(dǎo)電層和第二基底,第一導(dǎo)電層與電致變色層形成第一核殼結(jié)構(gòu),離子儲(chǔ)存層與第二導(dǎo)電層形成第二核殼結(jié)構(gòu),第一核殼結(jié)構(gòu)和第二核殼結(jié)構(gòu)相互穿插形成插指結(jié)構(gòu),電解質(zhì)層貫穿設(shè)置于第一核殼結(jié)構(gòu)和第二核殼結(jié)構(gòu)中,所述的第一導(dǎo)電層包括第一致密導(dǎo)電層和第一多孔導(dǎo)電層,所述的第一多孔導(dǎo)電層是由傾斜沉積技術(shù)制備的多孔陣列結(jié)構(gòu),所述的第二導(dǎo)電層包括第二致密導(dǎo)電層和第二多孔導(dǎo)電層,所述的第二多孔導(dǎo)電層是由傾斜沉積技術(shù)制備的多孔陣列結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型電致變色器件,其特征在于,所述的第一導(dǎo)電層的材料選自ITO,F(xiàn)TO,AZO,Au,Ag和Cu中的一種或兩種,所述的第二導(dǎo)電層的材料選自ITO,F(xiàn)TO,AZO,Au,Ag和Cu中的一種或兩種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型電致變色器件,其特征在于,所述的第一致密導(dǎo)電層的厚度為30-100nm,第一多孔導(dǎo)電層的厚度為300-500nm,第二致密導(dǎo)電層的厚度為30-100nm,第二多孔導(dǎo)電層的厚度為300-500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型電致變色器件,其特征在于,所述的電致變色層的材料選自WO3,MoO3,TiO2,Nb2O5和Ta2O5中的一種,所述的電致變色層的厚度為50-100nm,所述的離子儲(chǔ)存層的材料選自NiO,Co3O4,V2O5和Ir2O3中的一種,所述的離子儲(chǔ)存層的厚度為50-100nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型電致變色器件,其特征在于,所述的電解質(zhì)層選自無(wú)機(jī)離子導(dǎo)體、離子液體或離子導(dǎo)電聚合物中的一種,所述的無(wú)機(jī)離子導(dǎo)體選自LiClO4,LiPF6和LiBF4中的一種,所述的離子液體選自咪唑鹽類離子液體,哌啶鹽類離子液體和吡啶鹽類離子液體中的一種,所述的離子導(dǎo)電聚合物選自PVDF基凝膠聚合物,PEO基凝膠聚合物和PAN基凝膠聚合物中的一種。
6.權(quán)利要求1所述的新型電致變色器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:在第一基底上制備第一致密導(dǎo)電層,調(diào)整第一基底的傾角,在第一致密導(dǎo)電層上沉積第一多孔導(dǎo)電層,然后通過(guò)濺射法在第一多孔導(dǎo)電層上沉積電致變色層,在第二基底上制備第二致密導(dǎo)電層,然后調(diào)整第二基底的傾角,在第二致密導(dǎo)電層上沉積第二多孔導(dǎo)電層,然后在第二多孔導(dǎo)電層上沉積離子儲(chǔ)存層,再將含有電致變色層的第一基底和含有離子儲(chǔ)存層的第二基底對(duì)疊,注入電解質(zhì)形成電解質(zhì)層,形成電致變色器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型電致變色器件的制備方法,其特征在于,在第一基底上制備第一致密導(dǎo)電層,調(diào)整第一基底的傾角,在第一致密導(dǎo)電層上沉積第一多孔導(dǎo)電層的具體步驟為:利用濺射法在第一基底上制備第一致密導(dǎo)電層,調(diào)整第一基底的傾角至15°~85°,同時(shí)調(diào)整第一基底的轉(zhuǎn)速為0-1000r/min,在第一致密導(dǎo)電層上沉積第一多孔導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型電致變色器件的制備方法,其特征在于,在第二基底上制備第二致密導(dǎo)電層,調(diào)整第二基底的傾角,在第二致密導(dǎo)電層上沉積第二多孔導(dǎo)電層的具體步驟為:利用濺射法在第二基底上制備第二致密導(dǎo)電層,調(diào)整第二基底的傾角至15°~87°,同時(shí)調(diào)整第二基底的轉(zhuǎn)速為0-1000r/min,在第二致密導(dǎo)電層上沉積第二多孔導(dǎo)電層。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





