[發明專利]一種氮化鎵晶體管的非合金歐姆接觸制作方法

有效

• 申請號: 202010789795.4
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN112103340B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 孫希國;蔡文必;鄒冠
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;陳淑嫻

1.一種氮化鎵晶體管的非合金歐姆接觸制作方法，其特征在于包括以下步驟：

1)提供半導體基底，所述半導體基底由下至上包括襯底、緩沖層、勢壘層、帽層和介質層；

2)于所述半導體基底的上表面形成第一光阻層，通過曝光、顯影形成注入窗口；

3)向所述注入窗口之內的半導體基底注入Si離子形成注入區，然后去除所述第一光阻層；

4)于所述半導體基底的上表面形成第二光阻層，通過曝光、顯影形成歐姆接觸窗口，所述歐姆接觸窗口位于所述注入區范圍之內且寬度小于所述注入窗口；

5)去除所述歐姆接觸窗口之內的介質層以裸露所述帽層表面形成歐姆接觸區，然后去除所述第二光阻層；

6)于所述歐姆接觸區上沉積金屬；

7)采用激光激活所述注入區和所述金屬，激光波長為248-355nm。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：步驟3)中，注入Si離子的注入能量為45-120keV，注入劑量為1×10¹⁵-4×10¹⁵cm^-3；步驟6)中，所述金屬包括Ti/Pt或Ti/W疊層。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：步驟3)中，所述Si離子的注入深度為由所述介質 層至至少所述勢壘層的部分厚度。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述帽層為GaN層、SiN層或GaN層/SiN層的疊層，其中所述SiN層采用MOCVD工藝形成。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述GaN層的厚度范圍為1nm-3nm，所述SiN層的厚度范圍為1nm-2nm；所述GaN層/SiN層的疊層的厚度范圍為1nm-4nm。

6.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于：所述Ti/Pt或Ti/W疊層中，Ti層厚度為20-60nm，Pt層厚度為40-60nm，W層厚度為40-60nm。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述勢壘層的材料是氮化鋁、鋁銦氮化物、鋁鎵氮化物、銦鎵氮化物或鋁銦鎵氮化物。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：

所述介質層的材料是SiN，通過PECVD或LPCVD工藝形成；或所述介質層的材料是SiO₂，通過PECVD工藝形成。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述介質層的厚度為20-100nm。