[發明專利]電子部件模塊及其制造方法在審
| 申請號: | 202010781491.3 | 申請日: | 2017-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN111785705A | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 折笠誠;堀川雄平;阿部壽之;上林義廣 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/3205;H01L21/288;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/49;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;黃浩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 部件 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子部件模塊的制造方法,其特征在于,
包括:
由第一掩模帶覆蓋在表面形成有電子部件及覆蓋所述電子部件的密封樹脂的安裝基板的背面的工序;
在由所述第一掩模帶覆蓋所述安裝基板的所述背面的狀態下,在所述密封樹脂的表面及所述安裝基板的側面形成導電膜的工序;
在形成所述導電膜后剝下所述第一掩模帶的工序;
由比所述第一掩模帶小的第二掩模帶覆蓋所述安裝基板的背面的工序;
在由所述第二掩模帶覆蓋所述安裝基板的所述背面的狀態下,在所述導電膜上形成保護膜的工序;及
將所述保護膜的表面加工成低反射層的工序,所述低反射層的光的反射率比所述導電膜的光的反射率低。
2.根據權利要求1所述的電子部件模塊的制造方法,其特征在于,
加工成所述低反射層的工序通過對所述保護膜的所述表面進行蝕刻而進行。
3.根據權利要求1所述的電子部件模塊的制造方法,其特征在于,
加工成所述低反射層的工序通過在所述保護膜的所述表面實施非電解鍍敷而進行。
4.根據權利要求1所述的電子部件模塊的制造方法,其特征在于,
所述第一掩模帶覆蓋所述安裝基板的所述背面的整個面。
5.根據權利要求4所述的電子部件模塊的制造方法,其特征在于,
所述第二掩模帶不覆蓋所述導電膜的端部而覆蓋所述安裝基板的所述背面。
6.根據權利要求5所述的電子部件模塊的制造方法,其特征在于,
所述第二掩模帶覆蓋所述安裝基板的所述背面的整個面。
7.根據權利要求5所述的電子部件模塊的制造方法,其特征在于,
所述安裝基板的所述背面包含最外周部分和被所述最外周部分包圍的中心部分,
所述第二掩模帶不覆蓋所述最外周部分而覆蓋所述中心部分。
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