[發明專利]一種嵌入式封裝結構及其制造方法有效
| 申請號: | 202010778619.0 | 申請日: | 2020-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN112103268B | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 陳先明;黃本霞;馮磊;姜麗娜;謝炳森;馮進東 | 申請(專利權)人: | 珠海越亞半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552;H01L23/373;H01L23/498;H01L25/10;H01L25/13;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李翔;鮑勝如 |
| 地址: | 519175 廣東省珠海*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 嵌入式 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種嵌入式封裝結構,其特征在于,所述封裝結構包括:
嵌入在基板中的光通訊器件,所述光通訊器件具有用于發射光或接收光的作用面,所述作用面通過作用面開口從所述基板的第一表面暴露;以及
圍繞所述作用面開口的金屬擋墻,其中所述金屬擋墻沿遠離所述第一表面的方向延伸超出所述第一表面;
所述基板包括由電介質材料形成的絕緣層以及在所述絕緣層上的第一線路層和第二線路層,所述第一線路層位于所述第一表面,所述第二線路層位于所述基板的與所述第一表面相對的第二表面;
所述絕緣層中形成有包圍所述光通訊器件的器件圍墻,所述器件圍墻由金屬材料制成;
所述擋墻設置于所述第一線路層遠離所述絕緣層的一側,其中所述金屬擋墻通過所述第一線路層與所述器件圍墻連接;
在所述光通訊器件的與所述作用面相對的器件背面上形成有金屬散熱層,所述金屬散熱層與所述器件圍墻通過所述第二線路層連接。
2.根據權利要求1所述的嵌入式封裝結構,其特征在于:所述第一線路層和第二線路層通過貫穿所述絕緣層的金屬通孔柱電連接。
3.根據權利要求1所述的嵌入式封裝結構,其特征在于:所述封裝結構嵌入有至少兩個所述光通訊器件。
4.根據權利要求3所述的嵌入式封裝結構,其特征在于:所述至少兩個光通訊器件的作用面的方向是相同或不同的。
5.根據權利要求1所述的嵌入式封裝結構,其特征在于:所述基板還包括在所述第一線路層和/或所述第二線路層上形成的附加增層結構。
6.一種嵌入式封裝結構的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
A)制備包括電介質框架的基板,其中所述基板包括所述框架圍繞的貫穿空腔以及貫穿所述框架高度的金屬通孔柱,在所述電介質框架中形成圍繞所述空腔的器件圍墻,所述器件圍墻由金屬材料制成;
B)將所述基板的第一表面放置在承載件上;
C)將光通訊器件放入所述基板的所述空腔中,其中所述光通訊器件的作用面貼裝在所述承載件上;
D)在所述基板的與第一表面相對的第二表面上層壓或涂覆電介質封裝材料形成絕緣層,使得所述電介質封裝材料完全填充光通訊器件與框架之間的間隙;
E)減薄所述絕緣層以暴露出所述金屬通孔柱在所述第二表面上的端面;
F)移除所述承載件以暴露出所述光通訊器件的作用面和所述金屬通孔柱在所述第一表面上的端面;
G)在所述基板的第一和第二表面上形成第一和第二線路層,其中在所述第一線路層上形成作用面開口以從所述第一表面上暴露出所述光通訊器件的作用面,在所述光通訊器件的與所述作用面相對的器件背面上形成金屬散熱層,所述金屬散熱層與所述器件圍墻通過所述第二線路層連接;
H)在所述第一線路層上形成圍繞所述作用面開口的金屬擋墻,所述金屬擋墻沿遠離所述第一表面的方向延伸超出所述第一表面,其中所述金屬擋墻通過所述第一線路層與所述器件圍墻連接。
7.根據權利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述承載件選自熱解或光解膠帶、表面涂覆有熱解或光解粘合劑的犧牲銅箔、玻璃載板或單面覆銅板。
8.根據權利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述步驟G還包括:
在所述基板的第一表面上施加第一種子層;
在所述第一種子層上沉積金屬層;
在所述金屬層上施加光刻膠,并曝光顯影形成蝕刻阻擋層;
對所述金屬層和所述第一種子層進行蝕刻并移除所述蝕刻阻擋層,形成所述第一線路層和所述作用面開口。
9.根據權利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述步驟G還包括:
在所述基板的第二表面上暴露出所述光通訊器件的背面;
在所述基板的第二表面上施加第二種子層;
在所述第二種子層上施加光刻膠,經曝光顯影形成第一圖案;
在所述第一圖案中鍍覆金屬,形成第二線路層和金屬散熱層。
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