[發明專利]一種共陰LED顯示行驅動芯片的過流保護電路

有效

• 申請號: 202010768896.3
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN111901923B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 唐永生;李雪民;張宏根;徐銀森
• 申請（專利權）人: 四川遂寧市利普芯微電子有限公司
• 主分類號: H05B45/30
• 分類號: H05B45/30;H05B45/50
• 代理公司: 東莞高瑞專利代理事務所(普通合伙) 44444
• 代理人: 楊英華

本發明公開了一種共陰LED顯示行驅動芯片的過流保護電路，包括：作為行驅動芯片的功率管NM0；用于檢測所述功率管NM0的漏端電壓的過流檢測電路；以及與過流檢測電路信號連接且用于控制所述功率管NM0開關的組合邏輯電路；其中，所述過流檢測電路和組合邏輯電路信號連接有行使能信號OE，所述過流檢測電路通過判斷功率管NM0的漏端電壓VOUT是否高于參考電壓VR，并根據對比結果輸出檢測信號EN至組合邏輯電路中，所述組合邏輯電路根據該檢測信號EN與行使能信號OE輸出控制信號VCTRL控制功率管NM0的開關。通過上述方式，本發明通過控制功率管的開關，避免與功率管相連的芯片因流過的電流過大而造成損害，保護LED行驅動芯片。

技術領域

本發明涉及LED顯示驅動技術領域，尤其是涉及一種共陰LED行驅動芯片的過流保護電路。

背景技術

為了滿足應用端大電流的要求，LED行驅動芯片中的功率管的尺寸通常設計的比較大，當應用端發生異常時(例如功率管輸出端出現對地短路)，將導致功率管中流過的電流急劇增大，過大的電流會導致發熱量增大，進而導致驅動芯片被燒壞。為了避免因故障導致功率管流過的電流過大而造成芯片損壞，提出一種能解決上述技術問題的保護電路實為必要。

發明內容

本發明的目的旨在提供一種共陰LED顯示行驅動芯片的過流保護電路，檢測功率管的漏端電壓，判斷功率管中流過的電流是否過大，通過組合邏輯電路處理該檢測信號以及行使能信號，控制功率管的開關，避免與功率管相連的芯片因流過的電流過大而造成損害，保護LED行驅動芯片。

為解決上述技術問題，本發明提供的技術方案是：一種共陰LED顯示行驅動芯片的過流保護電路，包括：作為行驅動芯片的功率管NM0；用于檢測所述功率管NM0的漏端電壓的過流檢測電路；以及與過流檢測電路信號連接且用于控制所述功率管NM0開關的組合邏輯電路；其中，所述過流檢測電路和組合邏輯電路信號連接有行使能信號OE，所述過流檢測電路通過判斷功率管NM0的漏端電壓VOUT是否高于參考電壓VR，并根據對比結果輸出檢測信號EN至組合邏輯電路中，所述組合邏輯電路根據該檢測信號EN與行使能信號OE輸出控制信號VCTRL控制功率管NM0的開關。

本發明采用上述技術方案，通過過流檢測電路檢測功率管NM0的漏端電壓，根據功率管NM0的特性，判斷功率管NM0中流過的電流是否過大，并輸出檢測信號EN至組合邏輯電路中，組合邏輯電路根據行使能信號和檢測信號的結果，在功率管流過的電流過大時控制功率管關閉，從而保護與其連接的芯片不因過大的電流造成損害。

進一步地，所述組合邏輯電路包括與門電路A4，該與門電路A4的輸入端分別輸入行使能信號OE和檢測信號EN、其輸出端輸出控制信號VCTRL至功率管NM0的柵極。與門電路A4用于輸入行使能信號OE和檢測信號EN，當兩者同為有效時，與門電路A4執行與運算，輸出控制信號VCTRL為高電平，控制功率管NM0正常開啟。

進一步地，所述過流檢測電路包括觸發器DFF、反相器A3及電流鏡，所述電流鏡中輸入電流I0經反相器A3后輸入觸發器DFF的輸入端，所述觸發器DFF輸出檢測信號EN至與門電路A4中，行使能信號OE通過反相器A1和A2處理后輸入觸發器DFF中。觸發器DFF輸入行使能信號OE和反相器A3執行非運算后的輸入信號以及連接功率管的漏極的電壓信號，經觸發后輸出檢測信號EN至與門電路A4中。

更進一步地，所述電流鏡由對稱的零號PMOS管和第一PMOS管線路連接組成，電流I0輸入電流鏡的輸入級，電流鏡的輸出級線路連接反相器A3。電流鏡用于產生偏置電流及作為有源負載。

再進一步地，所述第一PMOS管并聯有第二PMOS管和第三PMOS管，第二PMOS管的柵極線路連接反相器A2的輸出端，第三PMOS管的柵極線路連接功率管NM0的柵極，第二PMOS管和第三PMOS管的漏極線路連接至反相器A3。