[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010758879.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113394122A | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小牟田直幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/603 | 分類號(hào): | H01L21/603 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 制造 裝置 | ||
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式,提供一種具有接合工具、加熱部、第一賦予機(jī)構(gòu)以及第二賦予機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體制造裝置。接合工具隔著膜吸附半導(dǎo)體芯片。加熱部對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加熱。第一賦予機(jī)構(gòu)相對(duì)于接合工具配置在膜的進(jìn)給方向的上游側(cè)。第一賦予機(jī)構(gòu)對(duì)膜賦予張力。第二賦予機(jī)構(gòu)相對(duì)于接合工具配置在膜的進(jìn)給方向的下游側(cè)。第二賦予機(jī)構(gòu)對(duì)膜賦予張力。
相關(guān)申請(qǐng)的引用
本申請(qǐng)以2020年03月13日提出申請(qǐng)的在先的日本專利申請(qǐng)第2020-044334號(hào)的優(yōu)先權(quán)的利益為基礎(chǔ),并且要求其利益,通過引用而包含其全部?jī)?nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體制造裝置。
背景技術(shù)
在接合半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體制造裝置中,有時(shí)在接合工具(bonding tool)的表面與半導(dǎo)體芯片之間夾設(shè)膜(film)而使接合工具隔著膜按壓半導(dǎo)體芯片,從而經(jīng)由多個(gè)凸塊電極與基板接合。此時(shí),希望適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行接合。
發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)實(shí)施方式提供能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行接合的半導(dǎo)體制造裝置。
實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的接合工具隔著膜吸附半導(dǎo)體芯片。加熱部對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行加熱。第一賦予機(jī)構(gòu)相對(duì)于接合工具配置在膜的進(jìn)給方向的上游側(cè)。第一賦予機(jī)構(gòu)對(duì)膜賦予張力。第二賦予機(jī)構(gòu)相對(duì)于接合工具配置在膜的進(jìn)給方向的下游側(cè)。第二賦予機(jī)構(gòu)對(duì)膜賦予張力。
根據(jù)上述構(gòu)成,能夠提供一種具有接合工具、加熱部、第一賦予機(jī)構(gòu)、以及第二賦予機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體制造裝置。
附圖說明
圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成的圖。
圖2是表示不使實(shí)施方式的賦予機(jī)構(gòu)動(dòng)作的情況下的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的圖。
圖3是表示不使實(shí)施方式中的賦予機(jī)構(gòu)動(dòng)作的情況下的半導(dǎo)體芯片的安裝狀態(tài)的圖。
圖4是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的流程圖。
圖5是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的圖。
圖6是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的圖。
圖7是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖8是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的圖。
圖9是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的序列圖。
圖10是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的圖。
圖11是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的動(dòng)作的圖。
圖12是表示實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成的圖。
具體實(shí)施方式
以下,參照添附附圖對(duì)實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。另外,并不通過該實(shí)施方式限定本發(fā)明。
(實(shí)施方式)實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置經(jīng)由間隙被粘接樹脂(底部填料)填埋的多個(gè)凸塊電極在布線基板上熱壓接(接合)半導(dǎo)體芯片,進(jìn)行構(gòu)成半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片安裝。半導(dǎo)體制造裝置進(jìn)行使膜夾設(shè)于半導(dǎo)體芯片背面(與實(shí)施了電路的面相反的背面)與熱壓接工具(以下,接合工具)之間的FAB(Film Assist Bonding,膜輔助接合)。由此,在熱壓接時(shí),從芯片的外形溢出的粘接樹脂不會(huì)附著在接合工具上。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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