[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

在審

• 申請號: 202010746723.1
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN112310058A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 劉滄宇;賴炯霖;張恕銘
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/98;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

第一晶片，具有第一導電墊；

第二晶片，設置在該第一晶片上，且具有第二導電墊；

封裝材料，覆蓋該第一晶片與該第二晶片，且具有上部、下部與鄰接該上部與該下部的傾斜部，其中該上部位于該第二晶片上，該下部位于該第一晶片上；以及

重布線層，沿該上部、該傾斜部與該下部設置，且電性連接該第一導電墊與該第二導電墊。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該封裝材料的該下部與該上部分別具有第一通孔與第二通孔，且該第一導電墊與該第二導電墊分別位于該第一通孔與該第二通孔中。

3.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該封裝材料的該傾斜部與該下部之間夾鈍角。

4.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該封裝材料的該下部的上表面低于該上部的上表面。

5.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括貼合膠，設置于該第一晶片與該第二晶片之間。

6.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括鈍化層，覆蓋該重布線層及該封裝材料。

7.根據權利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，其中該鈍化層與該封裝材料由不同材料制造。

8.根據權利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，其中該鈍化層包括開口，該晶片封裝體還包括導電結構，該導電結構位于該開口中的該重布線層上。

9.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

接合第一晶片與第二晶片，其中該第一晶片與該第二晶片分別具有第一導電墊與第二導電墊；

形成封裝材料以覆蓋該第一晶片與該第二晶片；

移除圍繞該第二晶片的該封裝材料的一部分，使得該封裝材料具有上部、下部與鄰接該上部與該下部的傾斜部，其中該上部位于該第二晶片上，該下部位于該第一晶片上；

于該封裝材料的該下部與該上部分別形成第一通孔與第二通孔，使該第一導電墊與該第二導電墊分別從該第一通孔與該第二通孔裸露；以及

形成沿該封裝材料的該上部、該傾斜部與該下部設置的重布線層，其中該重布線層延伸至該第一通孔中的該第一導電墊與該第二通孔中的該第二導電墊。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，其中移除圍繞該第二晶片的該封裝材料的該部分是以刀具切除的方法執行。

11.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，其中于該封裝材料的該下部與該上部分別形成該第一通孔與該第二通孔是以激光鉆孔的方法執行。

12.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，還包括：

形成鈍化層以覆蓋該重布線層及該封裝材料。

13.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，還包括：

形成開口于該鈍化層中以暴露該重布線層。

14.根據權利要求13所述的制造方法，其特征在于，還包括：

形成導電結構于該開口中的該重布線層上，以電性連接重布線層。