[發明專利]套刻偏差值的修正方法、電子設備及計算機可讀存儲介質

有效

• 申請號: 202010746691.5
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN112015056B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 張利斌;韋亞一;馮耀斌;陸聰
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G06F17/10
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

本申請公開了一種套刻偏差值的修正方法、電子設備及計算機可讀存儲介質。該方法包括：提供一包含多個曝光區域的晶圓；選擇若干曝光區域，從所選的曝光區域中確定若干待測套刻標識；對每一待測套刻標識的圖像進行多次計算，獲得若干套刻偏差測量值；計算套刻偏差測量值的平均值和標準差，分別以平均值和標準差作為套刻偏差值和測量誤差值；根據各測量誤差值的大小設置與其呈負相關的權重；利用各測量誤差值和設置的權重對各套刻偏差值進行加權賦值修正。本申請的方法將套刻偏差測量值的平均值和標準差分別作為套刻偏差值和測量誤差值，基于測量誤差值對套刻偏差進行了修正，在計算套刻修正參數時充分考慮測量誤差的影響，提升了套刻修正準確性。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種套刻偏差值的修正方法、電子設備及計算機可讀存儲介質。

背景技術

套刻修正技術對于集成電路非常重要，特別是隨著工藝節點不斷降低，核心尺寸不斷縮小，要求套刻偏差值也不斷縮小，但是工藝和測量影響并不會隨著節點縮小等比例降低，使得其在套刻修正技術中所占據的比重越來越大。

現有的套刻修正技術的基本方法為：獲取已經帶有對照層和當前層的晶圓，在套刻測量機臺上測量套刻誤差，并直接對晶圓套刻誤差進行修正。在測量一個晶圓的套刻數值時，并不會得到套刻偏差的誤差值。

現有技術的處理過程一般忽略測量誤差的影響，也就不會計算測量誤差；或者是計算測量誤差時，需要使用一批晶圓組中的至少3個晶圓并計算套刻偏差，操作復雜且精確度不高。但是，這種獲取套刻測量誤差的方法往往不能反映單片晶圓或某些區域套刻標識的測量誤差。特別是，對于復雜的三維堆疊結構，或經過熱處理之后的晶圓，其套刻修正算法往往使用逐場曝光方法(CPE)，該方法一般只能對一批晶圓組的一個晶圓進行套刻測量，該晶圓若存在工藝隨機波動，或測量波動，基于現有的技術不僅難以發現該問題，而且會出現過修正的問題。

發明內容

本申請的目的是提供一種套刻偏差值的修正方法、電子設備及計算機可讀存儲介質。為了對披露的實施例的一些方面有一個基本的理解，下面給出了簡單的概括。該概括部分不是泛泛評述，也不是要確定關鍵/重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍。其唯一目的是用簡單的形式呈現一些概念，以此作為后面的詳細說明的序言。

根據本申請實施例的一個方面，提供一種套刻偏差值的修正方法，包括：

提供一包含多個曝光區域的晶圓；所述曝光區域內包含有若干套刻標識；

在每一所述曝光區域中選擇若干曝光區域，從所選擇的所有曝光區域中確定若干待測套刻標識；

對每一所述待測套刻標識的圖像進行若干次計算，獲得所述圖像的若干套刻偏差測量值；

分別計算每一所述圖像的所有套刻偏差測量值的平均值和標準差，分別以所述平均值和所述標準差作為對應圖像的套刻偏差值和測量誤差值；

根據各所述圖像的測量誤差值的大小，為各所述測量誤差值設置與其呈負相關的權重；

利用各所述測量誤差值和設置的權重對各所述套刻偏差值進行加權賦值修正。

進一步地，在所述對每一所述待測套刻標識的圖像進行若干次計算之前，所述方法還包括：

獲取每一所述曝光區域內的各套刻標識的圖像。

進一步地，在所述對每一所述待測套刻標識的圖像進行若干次計算，獲得所述圖像的若干套刻偏差測量值中，對所述圖像進行一次計算獲得一個套刻偏差測量值，包括：

確定所述圖像的中心位置；

在所述圖像上確定關于所述中心位置呈中心對稱的套刻測量方框組；所述套刻測量方框組包括若干測量方框；

獲取各所述測量方框內的像素灰度曲線；