[發明專利]一種在氧化焰氣氛下低溫制備青瓷釉料的方法

在審

• 申請號: 202010745195.8
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN111807703A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 徐曉虹;陳元彪;吳建鋒;劉星;鄒臘年
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學;紹興市上虞區理工高等研究院
• 主分類號: C03C8/16
• 分類號: C03C8/16;C04B41/86
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 吳艷姣

1.一種在氧化焰氣氛下低溫制備青瓷釉料的方法，所述青瓷釉料的制備步驟包括原料處理、釉漿制備、施釉和燒成，其特征在于，所述原料及其配比為：透明熔塊90～92wt％、蘇州土8～10wt％，原料中加入添加劑及其配比為：羧甲基纖維素鈉0.2～0.4wt％、多聚磷酸鈉0.2～0.4wt％、氧化鉻0.1～0.3wt％；所述燒成溫度為1080～1120℃，燒成氣氛為空氣氣氛。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在原料處理步驟中，將所述原料球磨至一定粒徑范圍，其中，所述透明熔塊的粒徑范圍為100～200目，蘇州土的粒徑范圍為100～250目。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述原料采用干法球磨，所使用的球磨機轉速為700～900r/min，球磨子為剛玉陶瓷球磨子，原料、球磨子的質量比為0.4～0.6。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在釉漿制備步驟中，按配比加入所述原料、添加劑，并混合均勻后加入一定質量的水，攪拌3～4h得到釉漿。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述水的添加量為原料總質量的35～45wt％。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在施釉步驟中，將釉漿均勻施于素燒過的陶瓷坯體上，釉層厚度控制在0.5～0.8mm范圍內。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在燒成步驟中，所述燒成制度為：1000℃以下升溫速率為5～10℃/min，每隔100℃保溫20～30min，1000℃以上升溫速率為3～5℃/min，每隔100℃保溫30～60min，最高燒成溫度保溫30min。