[發(fā)明專(zhuān)利]微型器件轉(zhuǎn)移頭及其制造方法、微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010742822.2
• 申請(qǐng)日: 2020-07-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111987036A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張良玉;朱充沛;高威;周宇;黃洪濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/683;H01L21/677;H01L21/67;H01L33/48
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，包括襯底基板、位于襯底基板上且陣列排布的多個(gè)高臺(tái)、位于高臺(tái)上的凹槽以及位于凹槽底部的有機(jī)粘附層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述凹槽的深度小于微型發(fā)光二極管的高度，凹槽的底部寬度大于微型發(fā)光二極管的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述凹槽的開(kāi)口形狀為圓形或多邊形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，所述微型器件轉(zhuǎn)移頭的材質(zhì)為玻璃。

5.一種微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，用于制造權(quán)利要求1-4任一所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，包括以下步驟：

S01：在基礎(chǔ)襯底上涂布第一光阻，曝光顯影后形成陣列分布的多個(gè)光阻柱；

S02：沉積第一金屬層，包括Cr金屬層和Au金屬層；

S03：剝離光阻柱以及位于光阻柱上方的第一金屬層，剩余在基礎(chǔ)襯底上的第一金屬層形成阻擋層；

S04：刻蝕基礎(chǔ)襯底形成陣列分布的多個(gè)高臺(tái)以及位于高臺(tái)底部的襯底基板；

S05：涂布第二光阻并對(duì)其圖案化，刻蝕阻擋層形成位于阻擋層中間的第一開(kāi)孔，之后去除第二光阻；

S06：刻蝕位于第一開(kāi)孔內(nèi)的高臺(tái)形成凹槽，之后去除阻擋層；

S07：在凹槽底部形成有機(jī)粘附層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，其特征在于，步驟S07之前增加以下步驟：對(duì)微型器件轉(zhuǎn)移頭進(jìn)行等離子體清潔處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，其特征在于，高臺(tái)的高度≥10μm。

9.一種微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，使用權(quán)利要求1-3任一所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭，其特征在于，轉(zhuǎn)移方法包括以下步驟：

S1：暫態(tài)基板上的微型發(fā)光二極管與凹槽內(nèi)的有機(jī)粘附層對(duì)位貼合；

S2：先降溫至露點(diǎn)在凹槽與微型發(fā)光二極管的貼合處形成觸及微型發(fā)光二極管側(cè)壁的水膜，再次降溫至冰點(diǎn)使水膜結(jié)冰；

S3：移走暫態(tài)基板，微型發(fā)光二極管留在微型器件轉(zhuǎn)移頭上；

S4：轉(zhuǎn)移微型發(fā)光二極管至驅(qū)動(dòng)背板的鍵合電極上升溫進(jìn)行鍵合；

S5：鍵合完成后移走微型器件轉(zhuǎn)移頭。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型器件轉(zhuǎn)移頭的制造方法，其特征在于，微型發(fā)光二極管底部包括電極層和鍵合層。