[發(fā)明專利]一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置

在審

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• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111830311A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚向宇;趙現(xiàn)平;王科;李萍;彭晶;張林山
• 申請（專利權(quán)）人: 云南電網(wǎng)有限責任公司電力科學研究院
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;G01R15/14
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，包括：非接觸式電壓采集模塊(1)、非接觸式電流采集模塊(2)、數(shù)據(jù)處理模塊(3)、存儲模塊(4)、電源管理模塊(5)和通訊模塊(6)，其中，非接觸式電壓采集模塊(1)、非接觸式電流采集模塊(2)均與數(shù)據(jù)處理模塊(3)相連接，存儲模塊(4)、通訊模塊(6)分別與數(shù)據(jù)處理模塊(3)相連接，數(shù)據(jù)處理模塊(3)、存儲模塊(4)、通訊模塊(6)均與電源管理模塊(5)相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，所述非接觸式電壓采集模塊(1)包括光電傳感器(7)、激光單元和電場強度轉(zhuǎn)換單元，所述光電傳感器(7)通過光纖分別與所述激光單元、所述電場強度轉(zhuǎn)換單元連接，所述光電傳感器(7)和所述激光單元用于獲得電場強度，所述電場強度轉(zhuǎn)換單元用于把電場強度轉(zhuǎn)換為電壓的信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，所述非接觸式電流采集模塊(2)包括磁場檢測探頭(8)、雷達測距單元(9)與磁場強度轉(zhuǎn)換單元，所述磁場檢測探頭(8)、所述雷達測距單元(9)分別通過光纖與所述磁場強度轉(zhuǎn)換單元相連接，所述磁場檢測探頭用于檢測磁場，所述雷達測距單元用于測量所述磁場檢測探頭與GIS內(nèi)部高壓母線的距離，所述磁場強度轉(zhuǎn)換單元將磁場強度轉(zhuǎn)為對應(yīng)的電流信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)處理模塊(3)包括ARM處理器和STM32單片機。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，所述存儲模塊(4)包括flash芯片和DDR4存儲芯片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，所述電源管理模塊(5)包括電池和充放電管理單元，所述電池與所述充放電管理單元連接，所述充放電管理單元用于控制所述電池的充放電。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，所述通訊模塊(6)采用4G和載波雙通道。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，所述DDR4存儲芯片容量大于或等于256MB。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種外部非接觸式VFTO信號測量裝置，其特征在于，所述電池采用可拆裝的7.4V·2200mAh智能寬溫鋰電池。