[發(fā)明專利]一種三維存儲(chǔ)器的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010733184.8
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111883417B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李拓;蒲浩;李磊;宋文博
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成有第一溝道孔；

在所述第一溝道孔內(nèi)填充第一半導(dǎo)體層；

對所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕；以在所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)形成具有傾斜側(cè)壁的溝槽，所述溝槽的頂部開口尺寸大于底部開口尺寸；

在所述溝槽內(nèi)填充第二半導(dǎo)體層；

其中，所述第一半導(dǎo)體層為未摻雜半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為摻雜半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，

所述第一半導(dǎo)體層的表面粗糙度低于所述第二半導(dǎo)體層的表面粗糙度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，

所述第一半導(dǎo)體層為未摻雜非晶硅層；

所述第二半導(dǎo)體層為摻雜非晶硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述填充第一半導(dǎo)體層在第一反應(yīng)室內(nèi)執(zhí)行；所述對所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，包括：

在所述第一反應(yīng)室內(nèi)，通入刻蝕氣體對所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行原位刻蝕。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在對所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕的步驟中采用的刻蝕氣體包括Cl₂和HCl。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述對所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕在第二反應(yīng)室內(nèi)執(zhí)行；所述在所述溝槽內(nèi)填充第二半導(dǎo)體層，包括：

在所述第二反應(yīng)室內(nèi)，通入反應(yīng)氣源和摻雜氣源，在所述溝槽內(nèi)原位沉積第二半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，

所述填充第二半導(dǎo)體層的步驟中采用的摻雜氣源包括磷源或砷源。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，

所述填充第一半導(dǎo)體層、所述對所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕、以及所述填充第二半導(dǎo)體層在同一反應(yīng)室內(nèi)執(zhí)行。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

對所述第二半導(dǎo)體層的上表面進(jìn)行平坦化處理，以使所述第二半導(dǎo)體層的上表面與所述第一溝道孔的上表面齊平；

在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成上層堆疊結(jié)構(gòu)以及與所述第一溝道孔相對應(yīng)的第二溝道孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的三維存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

通過所述第二溝道孔去除所述第一溝道孔內(nèi)的所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層。