[發明專利]新型太赫茲單片的實現方法

在審

• 申請號: 202010730556.1
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111900086A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 安國雨;張志國;劉育青;郭黛翡;張洋陽;馮雪琳
• 申請（專利權）人: 北京國聯萬眾半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/50;H01L21/60;H01L29/872
• 代理公司: 石家莊輕拓知識產權代理事務所(普通合伙) 13128
• 代理人: 王占華

1.一種新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于包括如下步驟：

設計太赫茲單片所需要的太赫茲肖特基二極管和太赫茲外圍電路；

根據設計的太赫茲肖特基二極管，制作分立的太赫茲肖特基二極管芯片（1）；

根據設計的太赫茲外圍電路，制作分立的太赫茲外圍電路（2）；

在太赫茲模塊（3）上安裝制作的分立的太赫茲外圍電路（2），并將制作的分立的太赫茲肖特基二極管芯片（1）安裝到所述太赫茲外圍電路（2）上，構成太赫茲單片電路。

2.如權利要求1所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：在設計太赫茲單片所需要的太赫茲肖特基二極管芯片和太赫茲外圍電路時充分考慮太赫茲肖特基二極管芯片的模型，在電路上進行充分的阻抗匹配，以確保太赫茲電路具有最佳的工作效率。

3.如權利要求1所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：在提取太赫茲肖特基二極管外圍尺寸模型和肖特基陽極結大小以及肖特基二極管襯底厚度的情況下，制作出滿足要求的太赫茲肖特基二極管芯片（1）。

4.如權利要求3所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：所述太赫茲肖特基二極管芯片（1）的襯底厚度為20微米、15微米或12微米。

5.如權利要求3所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：單個太赫茲肖特基二極管芯片（1）的長度為100微米-300微米，寬度為50微米-75微米。

6.如權利要求1所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：在制作分立的太赫茲外圍電路（2）時，需要在GaAs基板上濺射Ti/Au，采用電鍍加厚的方式進行加厚，加厚金屬為金屬金。

7.如權利要求1所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：太赫茲外圍電路（2）的襯底厚度與太赫茲肖特基二極管芯片（1）中襯底的厚度保持一致。

8.如權利要求1所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：首先在太赫茲模塊即太赫茲金屬波導上安裝太赫茲外圍電路（2），采用在太赫茲外圍電路（2）涂抹導電膠的方式進行安裝固定，其次安裝所需要的太赫茲肖特基二極管芯片（1），太赫茲肖特基二極管芯片（1）與太赫茲外圍電路（2）中空余的二極管芯片位置尺寸一致，兩者之間的電學性能連接可通過導電膠的方式進行涂抹定位安裝。

9.如權利要求1所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：制作的分立的太赫茲肖特基二極管芯片（1）帶有梁式引線，且太赫茲外圍電路（2）中裝配太赫茲肖特基二極管芯片（1）的位置配有與分立的太赫茲肖特基二極管芯片上的梁式引線相同尺寸的梁式引線。

10.如權利要求9所述的新型太赫茲單片的實現方法，其特征在于：采用導電膠焊接太赫茲外圍電路（2）中的梁式引線與太赫茲肖特基二極管芯片（1）的梁式引線。