[發明專利]一種碳化硅晶體微管愈合用裝置及應用

有效

• 申請號: 202010725491.1
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN112048769B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 王路平;許曉林;劉鵬飛;高超;張九陽;王宗玉
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進科技股份有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00;C30B33/00
• 代理公司: 北京君慧知識產權代理事務所(普通合伙) 11716
• 代理人: 王振南

1.一種碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，所述微管愈合用裝置包括：真空生長室，其內設開口朝上的坩堝，所述坩堝內能夠盛放高溫熔液；

碳化硅晶體裝載裝置，位于所述真空生長室內、所述坩堝的上方，并且能夠上下移動；所述碳化硅晶體裝載裝置包括開口朝下的上托盤和開口朝上的下托盤；

溫度調節裝置，能夠對所述真空生長室內部進行溫度調節；

壓力調控裝置，能夠調節所述真空生長室內部的壓力，包括抽氣口和進氣口，所述抽氣口設于所述碳化硅晶體裝載裝置的上方，所述進氣口設于所述碳化硅晶體裝載裝置的下方；

所述上托盤和所述下托盤連接后能夠形成容納碳化硅晶體的腔體，所述腔體的上端設第一通孔，所述第一通孔與所述抽氣口之間氣相連通，所述腔體的下端設第二通孔，所述第二通孔能夠使所述坩堝內盛放的高溫熔液進入所述腔體內。

2.根據權利要求1所述的碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，所述上托盤和所述下托盤之間為可拆卸式連接。

3.根據權利要求2所述的碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，所述腔體的側壁設至少一個第三通孔，使所述腔體內部與所述腔體外部之間形成液相連通。

4.根據權利要求3所述的碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，每個所述第三通孔的高度大于或等于所述腔體內容納的所述碳化硅晶體或其疊放高度。

5.根據權利要求2-4中任一所述的碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，所述碳化硅晶體裝載裝置還包括晶體載具，所述晶體載具為上下通透的柱形體，所述柱形體內壁上設至少一個環形的卡槽，每個所述卡槽能夠水平卡放一個碳化硅晶片或晶錠。

6.根據權利要求5所述的碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，所述晶體載具的側壁設至少一個第四通孔；

和/或，所述柱形體由至少兩個以上的弧形柱體縱向組合而成。

7.根據權利要求6所述的碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，每個所述第四通孔的高度大于或等于其內載放的所述碳化硅晶體或其疊放高度。

8.根據權利要求2-4中任一所述的碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，所述腔體為圓柱形，所述上托盤內壁上設內螺紋，所述下托盤外壁設外螺紋，所述上托盤和所述下托盤之間通過所述內螺紋和所述外螺紋相互配合形成所述腔體；

和/或，所述第一通孔上方連接中空連接桿，所述中空連接桿與驅動裝置連接，所述驅動裝置能夠通過所述中空連接桿帶動所述碳化硅晶體裝載裝置上下移動；

所述抽氣口的一側與所述中空連接桿氣相連通，另一側連通抽氣泵。

9.根據權利要求2-4中任一所述的碳化硅晶體微管愈合用裝置，其特征在于，所述真空生長室的外壁材質為石英；

所述坩堝的內壁材質為石墨；

所述上托盤、所述下托盤、所述碳化硅晶體裝載裝置的材質為石墨；

所述坩堝的側壁和下底外設保溫層，所述保溫層設于所述真空生長室內；

所述溫度調節裝置包括設于所述真空生長室外的加熱裝置，所述加熱裝置包括加熱線圈。

10.權利要求1-9中任一所述碳化硅晶體微管愈合用裝置在碳化硅晶體微管愈合、提高碳化硅晶體應力分布均勻性、提高碳化硅晶體導電性、或碳化硅晶體外延、或制備半導體電子器件或芯片襯底的應用。