[發(fā)明專利]界面錯(cuò)配度計(jì)算方法及裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010724765.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112001062A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志波;溫麗濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東省材料與加工研究所 |
| 主分類號(hào): | G06F30/20 | 分類號(hào): | G06F30/20 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郭浩輝;麥小嬋 |
| 地址: | 510000 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 界面 錯(cuò)配度 計(jì)算方法 裝置 | ||
1.一種界面錯(cuò)配度計(jì)算方法,其特征在于,包括:
建立兩相晶體結(jié)構(gòu)模型;
根據(jù)所述兩相晶體結(jié)構(gòu)模型選取兩相晶面;
根據(jù)所述兩相晶面選取兩相晶向;
根據(jù)所述兩相晶向獲取兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距和兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角;
根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距和所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角,計(jì)算界面錯(cuò)配度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算方法,其特征在于,所述兩相包括基底相和形核相。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一所述的計(jì)算方法,其特征在于,還包括:根據(jù)所述界面錯(cuò)配度和預(yù)設(shè)閾值,獲取界面關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一所述的計(jì)算方法,其特征在于,所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角為銳角。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一所述的計(jì)算方法,其特征在于,所述根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距和所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角,計(jì)算界面錯(cuò)配度,包括:
根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距,計(jì)算對(duì)角邊晶向錯(cuò)配度;
根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距和所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角,計(jì)算兩邊晶向錯(cuò)配度;
根據(jù)所述對(duì)角邊晶向錯(cuò)配度和所述兩邊晶向錯(cuò)配度,計(jì)算界面錯(cuò)配度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的計(jì)算方法,其特征在于,所述根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距,計(jì)算對(duì)角邊晶向錯(cuò)配度,包括:
根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距,計(jì)算兩相對(duì)角邊晶向原子間距;
根據(jù)所述兩相對(duì)角邊晶向原子間距,計(jì)算對(duì)角邊晶向錯(cuò)配度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的計(jì)算方法,其特征在于,所述根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距和所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角,計(jì)算兩邊晶向錯(cuò)配度,包括:
根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距,計(jì)算兩相兩邊晶向原子間距;
根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角,計(jì)算兩相兩邊晶向原子夾角;
根據(jù)所述兩相兩邊晶向原子間距和所述兩相兩邊晶向原子夾角,計(jì)算兩邊晶向錯(cuò)配度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的計(jì)算方法,其特征在于,所述根據(jù)所述對(duì)角邊晶向錯(cuò)配度和所述兩邊晶向錯(cuò)配度,計(jì)算界面錯(cuò)配度,包括:
根據(jù)所述對(duì)角邊晶向錯(cuò)配度和所述兩邊晶向錯(cuò)配度,計(jì)算所述對(duì)角邊晶向錯(cuò)配度和所述兩邊晶向錯(cuò)配度的平均值;
根據(jù)所述對(duì)角邊晶向錯(cuò)配度和所述兩邊晶向錯(cuò)配度的平均值,計(jì)算界面錯(cuò)配度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算方法,其特征在于,還包括:根據(jù)所述界面錯(cuò)配度獲取所述界面錯(cuò)配度與過(guò)冷度的關(guān)系。
10.一種材料界面錯(cuò)配度計(jì)算裝置,其特征在于,包括:
建立模塊,用于建立兩相晶體結(jié)構(gòu)模型;
晶面模塊,用于根據(jù)所述兩相晶體結(jié)構(gòu)模型選取兩相晶面;
晶向模塊,用于根據(jù)所述兩相晶面選取兩相晶向;
獲取模塊,用于根據(jù)所述兩相晶向獲取兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距和兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角;
計(jì)算模塊,用于根據(jù)所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子間距和所述兩相對(duì)應(yīng)晶向原子夾角,計(jì)算界面錯(cuò)配度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東省材料與加工研究所,未經(jīng)廣東省材料與加工研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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