[發(fā)明專利]復(fù)合膜材及其制備方法、中框及電子設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010722206.0
• 申請(qǐng)日: 2020-07-24
• 公開（公告）號(hào): CN112030107A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張春姣;周天濟(jì)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市沃陽精密科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/20;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/06;H04M1/02
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 侯武嬌

1.一種復(fù)合膜材，其特征在于，包括：

塑料基材，所述塑料基材的一表面經(jīng)離子源轟擊形成納米級(jí)粗化表面；

過渡層，通過物理氣相沉積工藝形成于所述塑料基材的納米級(jí)粗化表面上；

硬質(zhì)膜層，通過氣相沉積工藝形成于所述過渡層的遠(yuǎn)離所述塑料基材的表面上；所述硬質(zhì)膜層的硬度大于所述過渡層的硬度。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜材，其特征在于，所述過渡層為硅層、金屬鈦層和氧化鈦層中的一種或者多種形成的疊層。

3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合膜材，其特征在于，所述過渡層為金屬鈦層和氧化鈦層的疊層，所述氧化鈦層位于所述塑料基材與所述金屬鈦層之間。

4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的復(fù)合膜材，其特征在于，所述硬質(zhì)膜層為金屬鉻層、金屬氮化物層和金屬碳化物層中的一種或者多種形成的疊層。

5.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合膜材，其特征在于，所述硬質(zhì)膜層為金屬鉻層、氮化鈦層、氮化鉻層、碳化鈦層和碳化鉻層中的一種或者多種形成的疊層。

6.如權(quán)利要求5所述的復(fù)合膜材，其特征在于，所述硬質(zhì)膜層為金屬鉻層、氮化鈦層和碳化鉻層的疊層，所述金屬鉻層、所述氮化鈦層和所述碳化鉻層依次設(shè)于所述過渡層的遠(yuǎn)離所述塑料基材的表面上。

7.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合膜材，其特征在于，所述過渡層為金屬鈦層和氧化鈦層的疊層，所述氧化鈦層與所述塑料基材直接接觸，所述金屬鈦層與所述金屬鉻層直接接觸。

8.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合膜材，其特征在于，所述硬質(zhì)膜層的總厚度為1000nm～5000nm。

9.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的復(fù)合膜材，其特征在于，所述復(fù)合膜材還包括防指紋膜層，所述防指紋膜層設(shè)于所述硬質(zhì)膜層的遠(yuǎn)離所述過渡層的表面上。

10.一種復(fù)合膜材的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在塑料基材的一表面采用離子源轟擊形成納米級(jí)粗化表面；

在所述塑料基材的納米級(jí)粗化表面上通過物理氣相沉積工藝形成過渡層；

在所述過渡層的遠(yuǎn)離所述塑料基材的表面上通過氣相沉積工藝形成硬質(zhì)膜層，所述硬質(zhì)膜層的硬度大于所述過渡層的硬度。

11.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合膜材的制備方法，其特征在于，形成所述過渡層的步驟與形成所述硬質(zhì)膜層的步驟在同一真空鍍膜腔室中進(jìn)行。

12.如權(quán)利要求10所述的復(fù)合膜材的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括在所述硬質(zhì)膜層的遠(yuǎn)離所述過渡層的表面上形成防指紋膜層的步驟；

形成所述過渡層的步驟、形成所述硬質(zhì)膜層的步驟與形成所述防指紋膜層的步驟在同一真空鍍膜腔室中進(jìn)行。

13.如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的復(fù)合膜材或如權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的制備方法制得的復(fù)合膜材在制備電子設(shè)備中的應(yīng)用。

14.一種中框，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的復(fù)合膜材或如權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的制備方法制得的復(fù)合膜材制備而成。

15.一種外殼，其特征在于，包括如權(quán)利要求14所述的中框。

16.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求15所述的外殼。