[發明專利]包括具有可控尾部的非導電膜的半導體封裝

在審

• 申請號: 202010721386.0
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN112825311A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 金成洙
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/538
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體封裝，該半導體封裝包括：

封裝基板；

第一半導體芯片，該第一半導體芯片設置在所述封裝基板上，并且具有第一貫通電極；

第二半導體芯片，該第二半導體芯片層疊在所述第一半導體芯片上，并且具有第二貫通電極；以及

非導電膜，該非導電膜設置在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間的接合區中，

其中，在所述接合區在橫向方向上的邊緣部分處，所述第一半導體芯片的邊緣部分基于所述第二半導體芯片的邊緣部分在所述橫向方向上凹陷。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述非導電膜還包括從所述接合區的橫向邊緣延伸到所述接合區的外部的尾部，并且

其中，所述尾部關于所述非導電膜與所述第一半導體芯片的界面水平向下彎曲。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝，其中，所述尾部在重力方向上彎曲。

4.根據權利要求2所述的半導體封裝，該半導體封裝還包括：

模制層，該模制層掩埋所述封裝基板上方的所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片以及所述非導電膜。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述第一半導體芯片包括第一凸塊，該第一凸塊電連接到所述第一貫通電極并且設置在所述接合區中，并且

其中，所述第二半導體芯片包括第二凸塊，該第二凸塊電連接到所述第二貫通電極并且設置在所述接合區中。

6.一種半導體封裝，該半導體封裝包括：

封裝基板；

第一半導體芯片，該第一半導體芯片設置在所述封裝基板上并且具有第一貫通電極；

第二半導體芯片，該第二半導體芯片層疊在所述第一半導體芯片上并且具有第二貫通電極；以及

非導電膜，該非導電膜設置在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間的接合區中，

其中，在所述接合區的橫向邊緣部分處，所述第一半導體芯片具有從第一接合表面在所述第一半導體芯片的內方向上形成的中空部分，該第一接合表面是所述第一半導體芯片的與所述非導電膜接觸的上表面。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中，所述非導電膜還包括從所述接合區的橫向邊緣延伸到所述接合區的外部的尾部，并且

其中，所述尾部關于所述非導電膜與所述第一半導體芯片的界面水平向下彎曲。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝，該半導體封裝還包括：

模制層，該模制層掩埋所述封裝基板上方的所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片以及所述非導電膜。

9.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中，所述中空部分具有側壁表面和底表面，并且

其中，所述中空部分的所述側壁表面具有垂直于所述第一接合表面的傾斜角度。

10.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中，所述中空部分具有側壁表面和底表面，并且

其中，所述中空部分的所述側壁表面具有不垂直于所述第一接合表面的傾斜角度。

11.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中，在所述接合區的橫向邊緣部分中，所述第二半導體芯片還包括從第二接合表面在所述非導電膜的內方向上延伸的突起，該第二接合表面是所述第二半導體芯片的與所述非導電膜接觸的下表面。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中，所述突起具有側壁表面和底表面，并且

其中，所述突起的所述側壁表面具有垂直于所述第二接合表面的傾斜角度。

13.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中，所述突起具有側壁表面和底表面，并且

其中，所述突起的所述側壁表面具有不垂直于所述第二接合表面的傾斜角度。