[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010719909.8 | 申請日: | 2020-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN112289831A | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田中淳 | 申請(專利權(quán))人: | 天馬日本株式會社;武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華;何月華 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種顯示裝置,包括:光透射基板,在所述光透射基板中布置有像素,所述像素具有使外部光透射的光透射區(qū)域以及設(shè)置有發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域;第一遮光層,所述第一遮光層設(shè)置在發(fā)光區(qū)域中并遮擋外部光;薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設(shè)置在第一遮光層上并控制發(fā)光元件的發(fā)光;第一絕緣層,所述第一絕緣層覆蓋薄膜晶體管的有源層;第二遮光層,所述第二遮光層設(shè)置在第一絕緣層上以覆蓋薄膜晶體管并遮擋外部光;以及第一遮光壁,所述第一遮光壁連接到第一遮光層和第二遮光層并遮擋外部光。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)
顯示圖像并且可以通過其看到顯示裝置的背面的透明有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置在本領(lǐng)域中是已知的。例如,公開號為2016/0181333的美國專利申請公開了一種OLED顯示裝置,該OLED顯示裝置包括其中布置有像素的發(fā)光區(qū)域以及使外部光透射的透明區(qū)域。該OLED顯示裝置的透明區(qū)域包括用于使外部光透射的開口。
在公開號為2016/0181333的美國專利申請中公開的OLED顯示裝置包括不透明的第二絕緣層和不透明的像素限定層,以抑制由金屬配線反射外部光而引起的圖像模糊。不透明的第二絕緣層和不透明的像素限定層遮擋從OLED顯示裝置的正面入射在發(fā)光區(qū)域上的外部光。
在公開號為2016/0181333的美國專利申請中公開的第二絕緣層和像素限定層不能遮擋從OLED顯示裝置的背面入射在發(fā)光區(qū)域上的外部光。從OLED顯示裝置的背面進(jìn)入發(fā)光區(qū)域的外部光引起對像素進(jìn)行驅(qū)動的薄膜晶體管(TFT)的閾值電壓的偏移。此外,在該OLED顯示裝置中,開口與TFT之間的間隙必須加寬,以防止已從正面經(jīng)由開口進(jìn)入的外部光進(jìn)入TFT。當(dāng)開口與TFT之間的間隙較寬時,難以增加OLED顯示裝置的清晰度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的,并且本發(fā)明的目的是提供一種顯示裝置,該顯示裝置包括使外部光透射并且能夠防止外部光進(jìn)入薄膜晶體管的光透射區(qū)域。
實現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的顯示裝置包括:
光透射基板,在所述光透射基板中布置有像素,所述像素具有使外部光透射的光透射區(qū)域以及設(shè)置有發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域;
第一遮光層,所述第一遮光層設(shè)置在發(fā)光區(qū)域中并遮擋外部光;
薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設(shè)置在第一遮光層上并控制發(fā)光元件的發(fā)光;
第一絕緣層,所述第一絕緣層覆蓋薄膜晶體管的有源層;
第二遮光層,所述第二遮光層設(shè)置在第一絕緣層上以覆蓋薄膜晶體管并遮擋外部光;以及
第一遮光壁,所述第一遮光壁連接到第一遮光層和第二遮光層并遮擋外部光。
應(yīng)當(dāng)理解,前面的概述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說明性的,并不限制本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明,可以防止外部光進(jìn)入薄膜晶體管。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合以下附圖考慮以下詳細(xì)描述時,可以獲得對本申請的更完整的理解,其中:
圖1是表示根據(jù)實施方式1的顯示裝置的俯視圖;
圖2是表示根據(jù)實施方式1的顯示區(qū)域的俯視圖;
圖3是表示根據(jù)實施方式1的像素電路的圖;
圖4是沿線A-A截取的圖2所示的顯示區(qū)域的剖視圖;
圖5是示意地表示根據(jù)實施方式1的像素電路的結(jié)構(gòu)的俯視圖;
圖6是沿線B-B截取的圖2所示的顯示區(qū)域的剖視圖;
圖7是表示根據(jù)實施方式2的顯示區(qū)域的剖視圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





